[發(fā)明專利]以旋轉(zhuǎn)雙曲面為副反射面的超材料微波天線

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210268844.5
• 申請(qǐng)日: 2012-07-31
• 公開（公告）號(hào): CN102820551A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉若鵬;季春霖;岳玉濤;楊青;殷俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01Q15/23
• 分類號(hào): H01Q15/23;H01Q19/06;H01Q19/18
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• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種以旋轉(zhuǎn)雙曲面為副反射面的超材料微波天線，其特征在于，包括超材料面板、饋源及副反射面，所述超材料面板設(shè)置有位于其中心的中心孔，所述超材料面板包括核心層及設(shè)置在核心層一側(cè)表面的反射板，所述核心層包括至少一個(gè)核心層片層，所述核心層片層包括片狀的基材以及設(shè)置在基材上的多個(gè)人造微結(jié)構(gòu)；

所述核心層片層按照折射率分布可劃分為分布在中心孔周圍且與所述中心孔共圓心的多個(gè)環(huán)形區(qū)域，所述環(huán)形區(qū)域內(nèi)相同半徑處的折射率相同，且在環(huán)形區(qū)域各自的區(qū)域內(nèi)隨著半徑的增大折射率逐漸減小，相鄰兩個(gè)環(huán)形區(qū)域中處于內(nèi)側(cè)的環(huán)形區(qū)域的折射率的最小值小于處于外側(cè)的環(huán)形區(qū)域的折射率的最大值；

所述饋源設(shè)置在中心孔上；所述副反射面是旋轉(zhuǎn)雙曲面，該副反射面位于所述超材料面板的前方，并用于將從所述超材料面板匯聚過(guò)來(lái)的電磁波反射到所述饋源上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以旋轉(zhuǎn)雙曲面為副反射面的超材料微波天線，其特征在于，所述饋源相位中心置于所述旋轉(zhuǎn)雙曲面的外側(cè)焦點(diǎn)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的以旋轉(zhuǎn)雙曲面為副反射面的超材料微波天線，其特征在于，所述核心層片層還包括覆蓋人造微結(jié)構(gòu)的填充層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的以旋轉(zhuǎn)雙曲面為副反射面的超材料微波天線，其特征在于，所述核心層包括多個(gè)折射率分布相同且相互平行的核心層片層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的以旋轉(zhuǎn)雙曲面為副反射面的超材料微波天線，其特征在于，所述超材料面板還包括設(shè)置在核心層另一側(cè)的匹配層，以實(shí)現(xiàn)從空氣到核心層的折射率匹配。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的以旋轉(zhuǎn)雙曲面為副反射面的超材料微波天線，其特征在于，所述中心孔的圓心為核心層片層的中心，所述多個(gè)環(huán)形區(qū)域的折射率變化范圍相同，所述核心層片層的折射率n(r)分布滿足如下公式：

n(r)=nmax-mod(l2+r2-l,λ)2d;]]>

其中，n(r)表示核心層片層上半徑為r處的折射率值；

l表示旋轉(zhuǎn)雙曲面內(nèi)側(cè)的、異于饋源相位中心的焦點(diǎn)與超材料前表面的距離；

d為核心層的厚度，d=λ2(nmax-nmin);]]>

n_max表示核心層片層上的折射率最大值；

n_min表示核心層片層上的折射率最小值；

λ表示工作波長(zhǎng)。