[發明專利]一種石墨發熱體加熱爐內碳素材料表面直接沉積SiC涂層的方法無效
| 申請號： | 201210268835.6 | 申請日： | 2012-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN103570378A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 陳照峰;劉勇 | 申請（專利權）人： | 蘇州宏久航空防熱材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C04B41/85 | 分類號： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215400 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石墨 發熱 加熱爐 碳素 材料 表面 直接 沉積 sic 涂層 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種石墨發熱體加熱爐內碳素材料表面直接沉積SiC涂層的方法，其特征包括下述順序的步驟：
(1)以石墨發熱體加熱爐體作為沉積爐，將其抽真空，真空度達到10-1Pa以下；
(2)將石墨發熱體加熱爐內溫度升高至1000～1200℃，升溫速率為8～12℃每分鐘；
(3)以氫氣為載氣，通過鼓泡法把三氯甲基硅烷帶入石墨發熱體加熱爐腔內，載氣流量根據爐體尺寸調節，流量為200～800ml/min，同時以氬氣作為稀釋氣體，其流量為200～800ml/min，保持加熱爐腔內壓力為3×103～105Pa，沉積20～50小時，冷卻后，碳素材料表面出現SiC涂層。
2.根據權利要求書1所述的方法，其特征在于石墨發熱體加熱爐可為熔煉石英玻璃的加熱爐，提煉單晶硅，單晶鍺，砷化鎵、磷化銦材料的加熱爐。
3.根據權利要求書1所述的方法，其特征在于碳素材料部件包括石墨坩堝、石墨熱場材料、炭素保溫材料。
4.根據權利要求書1所述的方法，其特征在于稀釋氣體選擇純度為99.999％以上的高純氬氣。
5.根據權利要求書1所述的方法，其特征在于氫氣與三氯甲基硅烷的摩爾比大于等于10。
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