[發(fā)明專利]一種集成了采樣電阻的電流檢測LDMOS器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210268621.9
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN102779821A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喬明;溫恒娟;向凡;何逸濤;周鋅;張波;李肇基
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;G01R19/00
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 溫利平

1.一種集成了采樣電阻的電流檢測LDMOS器件，包括主功率LDMOS器件（100）、電流檢測LDMOS器件（101）和采樣電阻（102），所述主功率LDMOS器件（100）、電流檢測LDMOS器件（101）和采樣電阻（102）集成于同一半導體芯片上；

所述電流檢測LDMOS器件（101）的溝道區(qū)寬度為W2，所述主功率LDMOS器件（100）的溝道區(qū)寬度為W1，其中W1＞＞W(wǎng)2，電流檢測LDMOS器件（101）的電流能力與主功率LDMOS器件（100）的電流能力之比為W2/W1；

所述主功率LDMOS器件（100）和電流檢測LDMOS器件（101）采用共同的漏極結(jié)構(gòu)，即采用同一N+漏極區(qū)（4）和金屬化漏極（11）；

所述電流檢測LDMOS器件（101）的P型體區(qū)（12）做在一個N型阱區(qū)（3）中，使得電流檢測LDMOS器件（101）的P型體區(qū)（12）與半導體襯底（1）相互隔離，以實現(xiàn)電流檢測LDMOS器件（101）的源極電壓浮動；

所述主功率LDMOS器件（100）和電流檢測LDMOS器件（101）各自的源極P+接觸區(qū)（5）和源極N+接觸區(qū)（6）與各自的源極金屬（10、13）連接，以消除襯偏效應；

所述采樣電阻（102）的一端與主功率LDMOS器件的源極金屬（10）相連，另一端與電流檢測LDMOS器件（101）的源極金屬（13）相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成了采樣電阻的電流檢測LDMOS器件，其特征在于，所述主功率LDMOS器件（100）和電流檢測LDMOS器件（101）分布于共用漏極結(jié)構(gòu)的同一側(cè)，且二者共用柵極結(jié)構(gòu)，即采用同一多晶硅柵極（7）。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成了采樣電阻的電流檢測LDMOS器件，其特征在于，所述采樣電阻（102）為多晶硅電阻（21），多晶硅電阻（21）位于主功率LDMOS器件（100）的源極金屬（10）和電流檢測LDMOS器件（101）的源極金屬（13）之間的場氧化層（8）表面，多晶硅電阻（21）表面覆蓋多層氧化物（9）。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成了采樣電阻的電流檢測LDMOS器件，其特征在于，所述采樣電阻（102）為N型阱電阻（33），N型阱電阻（33）位于主功率LDMOS器件（100）的源端和電流檢測LDMOS器件（101）的源端之間，與N型阱區(qū)（3）采用同步工藝制作；N型阱電阻（33）兩端的N+接觸區(qū)分別與主功率LDMOS器件（100）的源極金屬（10）和電流檢測LDMOS器件（101）的源極金屬（13）相連；沿電流方向，N型阱電阻（33）長度為L，寬度為W；N型阱電阻（33）的方塊電阻值由N阱摻雜濃度決定，其電阻大小由L和W的比值確定；

在N型阱電阻（33）與電流檢測LDMOS器件（101）的源端的N型阱區(qū)（3）之間具有P型隔離區(qū)（22），P型隔離區(qū)（22）隔離N型阱區(qū)（3）對N型阱電阻（33）的影響，其寬度為d2，d2的取值范圍在幾到幾十微米之間。