[發明專利]鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜、制備方法及其應用

無效

• 申請號: 201210268340.3
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN103571476A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C09K11/68
• 分類號: C09K11/68;H01L33/26;H01L33/00;C23C16/40
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜，其特征在于，其化學式為Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺，其中，0.01≤x≤0.05，Re為鋁離子，鎵離子，銦離子或鉈離子，Re₂(MoO₄)₃是基質，鈰元素是激活元素。

2.根據權利要求1所述的鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜，其特征在于，所述鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜的厚度為80nm~300nm。

3.一種鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa~1.0×10^-3Pa；

調節襯底的溫度為250℃~650℃，轉速為50轉/分鐘~1000轉/分鐘，采用氬氣氣流的載體，根據Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺各元素的化學計量比將四甲基庚二酸三族金屬鹽、羰基鉬和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)鈰通入反應室內；及

通入氧氣，進行化學氣相沉積得到化學式為Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺的鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜，其中，0.01≤x≤0.05，Re為鋁離子，鎵離子，銦離子或鉈離子。

4.根據權利要求3所述的鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述四甲基庚二酸三族金屬鹽、六羰基鉬和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)鈰摩爾比為（1.95~1.99）：3：（0.01~0.05）。

5.根據權利要求3所述的鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述氬氣氣流量為5~15sccm，所述氧氣氣流量為10~200sccm。

6.根據權利要求3所述的鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜的制備方法，其特征在于，將所述襯底裝入所述反應室后將所述襯底在600℃~800℃下熱處理10分鐘~30分鐘。

7.一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層的材料為鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜，該鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜的化學式為Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺，0.01≤x≤0.05，Re為鋁離子，鎵離子，銦離子或鉈離子。

8.根據權利要求7所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光層的厚度為80nm~300nm。

9.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

在所述陽極上形成發光層，所述發光層的薄膜為鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜，該鈰摻雜三族鉬酸鹽的發光薄膜的化學式為Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺，其中，0.01≤x≤0.05，Re為鋁離子，鎵離子，銦離子或鉈離子；

在所述發光層上形成陰極。

10.根據權利要求9所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光層的制備包括以下步驟：

將所述襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa~1.0×10^-3Pa；

調節襯底的溫度為250℃~650℃，轉速為50轉/分鐘~1000轉/分鐘，采用氬氣氣流作為載體，根據Re₂(MoO₄)₃:xCe³⁺各元素的化學計量比將四甲基庚二酸三族金屬鹽、六羰基鉬和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)鈰通入反應室內，其中，氬氣氣流量為5~15sccm，

然后通入氧氣，氧氣氣流量為10~200sccm；沉積薄膜在所述陽極上形成發光層。