[發(fā)明專利]貴金屬納米顆粒陣列的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210267820.8
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN102747320A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖湘衡;梅菲;任峰;蔣昌忠
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢大學(xué)
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/14
• 代理公司: 武漢科皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 汪俊鋒

1.一種可制備出大小、形狀和材料種類可調(diào)節(jié)的納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于：采用聚苯乙烯膠體球自組裝手段和薄膜沉積技術(shù)相結(jié)合的方法制備，具體步驟如下：

（1）該方法利用聚苯乙烯膠體球間的自組裝，在Al₂O₃、GaN或石英玻璃襯底上制備出二維單層聚苯乙烯膠體球的六角密排模板；

（2）采用垂直蒸發(fā)或傾斜濺射技術(shù)在聚苯乙烯膠體球自組裝二維單層模板上沉積貴金屬薄膜；

（3）超聲溶解除去聚苯乙烯膠體球模板，得到不同形貌結(jié)構(gòu)的貴金屬鈉米顆粒陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可制備出大小、形狀和材料種類可調(diào)節(jié)的納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于：采用垂直蒸發(fā)技術(shù)在模板上沉積貴金屬,通過在有機(jī)溶劑中超聲除去模板后襯底上得到三角形納米顆粒陣列。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可制備出大小、形狀和材料種類可調(diào)節(jié)的納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于：采用垂直蒸發(fā)技術(shù)沉積貴金屬后,將襯底浸入氯仿溶液中超聲，將聚苯乙烯膠體球頂端的納米顆粒殼層從膠體球模板上剝離掉，形成碗狀殼層納米陣列。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可制備出大小、形狀和材料種類可調(diào)節(jié)的納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于：采用傾斜濺射技術(shù)在模板上沉積貴金屬,將襯底置于有機(jī)溶劑中超聲除去模板后襯底上得到網(wǎng)格狀納米顆粒陣列。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可制備出大小、形狀和材料種類可調(diào)節(jié)的納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于：使聚苯乙烯膠體球變小,球與球之間排列不再緊密，采用傾斜濺射技術(shù)在模板上沉積貴金屬,將襯底置于有機(jī)溶劑中超聲除去模板后襯底上得到環(huán)狀納米顆粒陣列。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可制備出大小、形狀和材料種類可調(diào)節(jié)的納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于：選擇不同大小的聚苯乙烯膠體球制備出不同大小結(jié)構(gòu)單元的納米顆粒陣列。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可制備出大小、形狀和材料種類可調(diào)節(jié)的納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于：通過濺射沉積不同的貴金屬材料得到不同成分的納米顆粒陣列。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可制備出大小、形狀和材料種類可調(diào)節(jié)的納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于：通過調(diào)節(jié)薄膜沉積時(shí)間和改變膠體球的大小而調(diào)整半球形納米殼層的厚度和內(nèi)部直徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可制備出大小、形狀和材料種類可調(diào)節(jié)的納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于：通過反應(yīng)離子束刻蝕和熱退火等技術(shù)使得聚苯乙烯膠體球之間排列不緊密。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可制備出大小、形狀和材料種類可調(diào)節(jié)的納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于：通過反應(yīng)離子束刻蝕的能量和時(shí)間以及熱退火溫度參數(shù)實(shí)現(xiàn)對膠體球粒子間空隙大小的調(diào)控。