[發(fā)明專利]臺(tái)面型反向阻斷二極晶閘管芯片

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210267739.X
• 申請(qǐng)日: 2012-07-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102820333A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧愛(ài)民;保愛(ài)林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 紹興旭昌科技企業(yè)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/74
• 分類號(hào): H01L29/74
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100
• 代理人: 徐關(guān)壽

1.?一種臺(tái)面型反向阻斷二極晶閘管芯片，其特征在于：它包括P1陽(yáng)極發(fā)射區(qū)（5）、N1長(zhǎng)基區(qū)（1）、P2短基區(qū)（4）及N2陰極發(fā)射區(qū)（7），?在N1長(zhǎng)基區(qū)（1）一側(cè)設(shè)有P1陽(yáng)極發(fā)射區(qū)（5），N1長(zhǎng)基區(qū)（1）與P1陽(yáng)極發(fā)射區(qū)（5）之間形成第一PN結(jié)（2），在N1長(zhǎng)基區(qū)（1）另一側(cè)設(shè)有P2短基區(qū)（4），N1長(zhǎng)基區(qū)（1）與P2短基區(qū)（4）之間形成第二PN結(jié)（3），在P2短基區(qū)（4）上還設(shè)有N2陰極發(fā)射區(qū)（7），P2短基區(qū)（4）與N2陰極發(fā)射區(qū)（7）之間形成第三PN結(jié)（6），第一PN結(jié)（2）和第二PN結(jié)（3）之間的距離（12）為100～180微米，第二PN結(jié)（3）和第三PN結(jié)（6）之間的距離（11）為3～20微米，在N1長(zhǎng)基區(qū)（1）上方開(kāi)設(shè)有第一凸臺(tái)（8），第二PN結(jié)（3）和第三PN結(jié)（6）同時(shí)暴露在第一凸臺(tái)（8）的兩個(gè)上側(cè)壁（14）上，在N1長(zhǎng)基區(qū)（1）下方開(kāi)設(shè)有第二凸臺(tái)（13），第一PN結(jié)（2）暴露在第二凸臺(tái)（13）的兩個(gè)下側(cè)壁（15）上，在第一凸臺(tái)（8）的上側(cè)壁（14）和第二凸臺(tái)（13）的下側(cè)壁（15）上均設(shè)有鈍化層（9），在P1陽(yáng)極發(fā)射區(qū)（5）和N2陰極發(fā)射區(qū)（7）表面設(shè)有金屬層（10）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的臺(tái)面型反向阻斷二極晶閘管芯片，其特征在于：P1陽(yáng)極發(fā)射區(qū)（5）、P2短基區(qū)（4）和N2陰極發(fā)射區(qū)（7）均為擴(kuò)散形成，第一PN結(jié)（2）、第二PN結(jié)（3）和第三PN結(jié)（6）均為平面結(jié)。