[發(fā)明專利]雙面真空成膜方法及利用該方法獲得的層積體有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210267243.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-07-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102899629A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梨木智剛;坂田義昌;菅原英男;家倉(cāng)健吉;濱田明;伊藤喜久;石橋邦昭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/56 | 分類號(hào): | C23C14/56;C23C14/54;B32B15/04 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 岳雪蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙面 真空 方法 利用 獲得 層積 | ||
1.一種成膜方法,其是在長(zhǎng)基體上連續(xù)地進(jìn)行真空成膜的方法,其特征在于,包括:
a)將卷成卷筒狀的長(zhǎng)基體的第一面作為被成膜面,沿從第一輥室朝向第二輥室的方向從所述第一輥室輸出卷筒狀的長(zhǎng)基體的步驟;
b)對(duì)沿所述方向輸出的所述基體進(jìn)行脫氣的步驟;
c)在第一成膜室,在進(jìn)行了脫氣的所述基體的所述第一面將第一膜材料成膜的步驟;
d)在第二成膜室,在所述基體的所述第一面上成膜的第一膜材料上將第二膜材料成膜的步驟;
e)在所述第二輥室,將在所述基體的所述第一面的所述第一膜材料上層積有所述第二膜材料的所述基體卷繞成卷筒狀的步驟;
f)將與所述第一面相反一側(cè)的第二面作為被成膜面,沿所述方向從所述第一輥室輸出在所述第二輥室卷繞的所述基體的步驟;
g)對(duì)沿所述方向輸出的所述基體進(jìn)行脫氣的步驟;
h)在所述第一成膜室,在進(jìn)行了脫氣的所述基體的所述第二面將所述第一膜材料成膜的步驟;
i)在第二成膜室,在所述基體的所述第二面上成膜的所述第一膜材料上將所述第二膜材料成膜的步驟;
j)在所述第二輥室,將在所述基體的所述第一面與所述第二面這兩面的所述第一膜材料上層積有所述第二膜材料的所述基體卷繞成卷筒狀的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的成膜方法,其特征在于,
在所述第二輥室,將在所述基體的所述第一面依次層積有所述第二膜材料與所述第一膜材料的所述基體進(jìn)行卷繞后,利用設(shè)置于所述第二輥室與鄰接于所述第二輥室的鄰接室之間的路徑封鎖機(jī)構(gòu),在使所述基體的一部分與所述路徑封鎖機(jī)構(gòu)連通,并且將所述第二輥室與所述鄰接室之間切斷狀態(tài)下,在所述第二輥室取出所述基體。
3.如權(quán)利要求1或2所述的成膜方法,其特征在于,
將所述第二面作為被成膜面,沿所述方向從所述第一輥室輸出所述基體時(shí),利用設(shè)置于所述第一輥室與鄰接于所述第一輥室的鄰接室之間的路徑封鎖機(jī)構(gòu),在使所述基體的一部分與所述路徑封鎖機(jī)構(gòu)連通,并且將所述第一輥室與所述鄰接室之間切斷的狀態(tài)下,將所述基體的所述第二面作為被成膜面而設(shè)置在所述第一輥室。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的成膜方法,其特征在于,
在從所述第一輥室輸出后且在所述第一膜材料成膜前,對(duì)所述基體進(jìn)行等離子處理。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的成膜方法,其特征在于,
在從所述第一輥室輸出后且在所述第一膜材料成膜前,在加熱室對(duì)所述基體進(jìn)行脫氣。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的成膜方法,其特征在于,
在所述第一成膜室,對(duì)沿所述方向被引導(dǎo)過(guò)程中的所述基體進(jìn)行脫氣。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的成膜方法,其特征在于,
在所述第二成膜室,在沿所述方向輸出的所述基體上將所述第二膜材料成膜時(shí),從所述第一成膜室拆下所述第一成膜室的第一陰極電極。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的成膜方法,其特征在于,
對(duì)所述第二膜材料成膜的所述基體實(shí)施退火處理。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的成膜方法,其特征在于,
所述第一膜材料是透明導(dǎo)電膜,所述第二膜材料是金屬。
10.如權(quán)利要求9所述的成膜方法,其特征在于,
所述金屬是銅或銅合金,或者銀或銀合金。
11.一種層積體,其是通過(guò)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的成膜方法而獲得,在所述基體的所述第一面與所述第二面分別依次層積有所述第一膜材料與所述第二膜材料。
12.如權(quán)利要求11所述的層積體,其特征在于,
所述第一膜材料是透明導(dǎo)電膜,所述第二膜材料是金屬。
13.如權(quán)利要求11所述的層積體,其特征在于,
所述金屬是銅或銅合金,或者銀或銀合金。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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