[發明專利]陣列型多層化陶瓷電子組件

有效

• 申請號: 201210267241.3
• 申請日: 2012-07-30
• 公開（公告）號: CN103247440A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 丁海碩;李炳華;樸珉哲;蔡恩赫
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/30
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 陳瀟瀟;南毅寧

相關申請的交叉引用

本申請要求2012年2月7日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2012-0012273的優先權，該申請的公開內容通過參考被合并到本申請中。

技術領域

本發明涉及一種陣列型多層化（multilayered）陶瓷電子組件。

背景技術

依照近來電子產品小型化和多功能化的趨勢，電子產品內所使用的電子組件也已經被小型化、多功能化，并被增加了電容。因此，對滿足這些要求的多層電子組件的需求已經增加。

多層電子組件的示例包括片形電容器、片形磁珠、片形電感器、片形可變電阻器等。在這些多層電子組件中，陣列型片形電容器通過將多個片形電容器集成為單個組件來形成。陣列型片形電容器的內部部分被形成以具有用于實施其中的電容的兩個或者更多個獨立的內部電極圖案，而且根據與現有技術相比的電子組件小型化的趨勢及其電容的增加，內部電極層的數量已經進一步增加，而內部電極之間的間隔已經減少。

因此，內部電極多層化部分和內部電極多層化部分（在該部分中，內部電極被多層化）之外的部分之間的密度差異會進一步增加，這樣會產生分層和破裂，而且電氣特性和可靠性也會惡化。

發明內容

本發明的一個方面提供了能夠抑制分層與破裂的產生的陣列型多層化陶瓷電子組件。

根據本發明的一個方面，提供一種陣列型多層化陶瓷電子組件，包括：陶瓷主體；形成在所述陶瓷主體的一個表面上以及所述陶瓷主體的與所述一個表面相對立的另一表面上的多個外部電極；以及形成在所述陶瓷主體中并分別連接到所述外部電極的多個內部電極多層化部分，其中當所述內部電極多層化部分之間的間隔為G以及內部電極的密度是D時，可以滿足40%≤D≤57%、10μm≤G≤200μm以及G≥（0.0577×D²）－（4.4668×D）＋111.22的條件。

內部電極多層化部分的數量可以是2。

形成在所述陶瓷主體的所述一個表面上的所述多個外部電極中的每一個外部電極可以被布置以與形成在所述陶瓷主體的所述另一表面上的所述多個外部電極相對立。

所述外部電極可以覆蓋所述內部電極的暴露部分。

所述外部電極可以在所述內部電極被多層化的方向上延伸。

所述外部電極可以延伸到所述陶瓷主體的上表面和下表面的部分上。

可以通過布置所述內部電極以使陶瓷層介入所述內部電極之間并使所述內部電極相互重疊來形成所述內部電極多層化部分。

所述多個內部電極多層化部分可以分別連接到彼此對立的所述多個外部電極。

所述內部電極多層化部分中的每個相鄰內部電極可以在對立方向上被暴露，從而連接到彼此相對立的所述外部電極。

所述內部電極多層化部分之間的間隔G可以是多個多層內部電極的端部的位置之間的平均間隔。

在內部電極多層化部分的數量是3個或者更多個的情況中，內部電極多層化部分之間的間隔G可以是任一層中多個間隔中的最小值。

內部電極可以包括有助于電容的形成的電容部分以及將電容部分連接到外部電極的暴露部分，其中，電容部分和暴露部分可以是矩形。

陶瓷主體可以是0906型號或者更小。

當從陶瓷主體的表面到內部電極多層化部分的間隔是M時，可以滿足G≤M和M≤200μm的條件。

根據本發明的另一方面，提供一種陣列型多層化陶瓷電子組件，包括：陶瓷主體；形成在所述陶瓷主體的一個表面上以及所述陶瓷主體的與所述一個表面相對立的另一表面上的多個第一和第二外部電極；分別連接到形成在所述陶瓷主體的所述一個表面上的所述多個第一外部電極上并平面地形成在公共層上的多個第一內部電極；以及多個第二內部電極，所述多個第二內部電極各自被布置以使陶瓷層介入所述多個第一內部電極和所述多個第二內部電極之間從而被平面地形成在公共層上、連接到形成在所述另一表面上的所述多個第二外部電極并與所述多個第一內部電極重疊，其中當所述公共層上的所述多個內部電極之間的間隔為G、所述內部電極的密度是D以及從所述陶瓷主體的表面到所述第一和第二內部電極的間隔是M時，可以滿足40%≤D≤57%、10μm≤G≤M以及G≤（0.0577×D²）－（4.4668×D）＋111.22的條件。

M≤200μm。

所述第一內部電極和所述第二內部電極中的每一個可以包括電容部分和暴露部分，其中暴露部分比電容部分更小。

電容部分可以是矩形。