[發(fā)明專利]一種透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210267041.8 | 申請日: | 2012-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN103572202A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周明杰;王平;陳吉星;馮小明 | 申請(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/00 | 分類號: | C23C14/00;C23C14/34;C23C14/24;C23C14/08;C23C14/18;B32B9/04;B32B15/00 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 透明 導(dǎo)電 薄膜 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電材料領(lǐng)域,尤其涉及一種透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)
透明導(dǎo)電薄膜是把光學(xué)透明性能與導(dǎo)電性能復(fù)合在一體的光電材料,由于其具有優(yōu)異的光電特性,成為近年來的研究熱點和前沿課題,可廣泛應(yīng)用于太陽能電池,LED,TFT,LCD及觸摸屏等屏幕顯示領(lǐng)域。隨著器件性能要求的提高,用于作為器件陽極的透明導(dǎo)電膜的性能也在要求提高。除了保持高的可見透過率,低的電阻率,還要求有較高的表面功函數(shù),使其與其他功能層的能級相匹配,降低勢壘,提高載流子注入效率,最終達(dá)到高的電光效率。
目前商業(yè)化的各種透明導(dǎo)電薄膜,如ITO、AZO、ATO以及超薄金屬薄膜等,其光透過率、導(dǎo)電性以及表面功函數(shù)都較低。
發(fā)明內(nèi)容
基于上述問題,本發(fā)明提供一種透明導(dǎo)電薄膜,該薄膜起導(dǎo)電陽極作用。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種透明導(dǎo)電薄膜,該導(dǎo)電薄膜包括作為緩沖和匹配作用的Al2O3層,作為導(dǎo)電作用的CuSn層,以及作為高功函作用的ReO3層;且Al2O3層、CuSn層和ReO3層形成Al2O3-CuSn-ReO3三文治結(jié)構(gòu);Al2O3層、CuSn層和ReO3層的厚度分別為50~150nm、5~55nm和0.5~5nm;優(yōu)選,Al2O3層、CuSn層和ReO3層的厚度分別為80nm、25nm和2nm。
本發(fā)明提供的上述透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,包括如下步驟:
S1、把襯底、Al靶和CuSn合金靶放入濺鍍設(shè)備的真空腔中,并對真空腔抽真空;調(diào)節(jié)Al靶和CuSn合金靶分別與襯底的距離設(shè)定為35~90mm;
S2、Al2O3薄膜的制備:用Al靶,在通入真空腔的氬氣工作氣體中通入氧氣,且真空腔中氬氣和氧氣混合氣的工作壓強(qiáng)0.2~2.0Pa,氧氣質(zhì)量百分含量占1~10%,調(diào)節(jié)濺鍍設(shè)備的濺射功率60~160W,隨后進(jìn)行鍍膜處理2~5小時,得到厚度為50~150nm的Al2O3薄膜;
S3、CuSn薄膜的制備:用CuSn合金靶,在真空腔中通入純氬氣作為工作氣體,真空腔中的氬氣工作壓強(qiáng)0.2~2.0Pa,調(diào)節(jié)濺鍍設(shè)備的濺射功率30~100W,隨后進(jìn)行鍍膜處理2~5小時,在Al2O3薄膜上得到厚度為5~55nm的CuSn薄膜的Al2O3-CuSn兩層樣品;
S4、把步驟S3得到的Al2O3-CuSn兩層樣品以及ReO3放入蒸鍍設(shè)備的真空腔中,設(shè)置真空腔的真空度為1.0×10-3Pa~1.0×10-6Pa;隨后在Al2O3-CuSn兩層樣品的CuSn薄膜層表面蒸鍍厚度為0.5~5nm的ReO3薄膜,得到Al2O3-CuSn-ReO3三文治結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電薄膜。
所述透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,步驟S1中,對真空腔抽真空是采用機(jī)械泵和分子泵進(jìn)行的,且真空腔的真空度抽至1.0×10-3Pa~1.0×10-6Pa;優(yōu)選,真空腔的真空度抽至6.0×10-4Pa。
所述透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,步驟S1中,Al靶和CuSn合金靶分別與襯底的距離設(shè)定為50mm。
所述透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,步驟S2中,真空腔中氬氣和氧氣混合氣的工作壓強(qiáng)1.0Pa;氧氣質(zhì)量百分含量占5%;濺鍍設(shè)備的濺射功率100W。
所述透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,步驟S3中,真空腔中氬氣和氧氣混合氣的工作壓強(qiáng)1.0Pa;濺鍍設(shè)備的濺射功率60W。
所述透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,步驟S4中,真空腔的真空度為2.0×10-4Pa。
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C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
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