[發明專利]化合物半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201210266879.5 | 申請日： | 2012-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN103035700A | 公開（公告）日： | 2013-04-10 |
| 發明（設計）人： | 今田忠纮 | 申請（專利權）人： | 富士通株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;董文國 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化合物 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種化合物半導體器件，包括：
第一化合物半導體層，所述第一化合物半導體層具有第一極性；
第二化合物半導體層，所述第二化合物半導體層形成在所述第一化合物半導體層上方，所述第二化合物半導體層包括第二極性；和
第三化合物半導體層，所述第三化合物半導體層形成在所述第二化合物半導體層上方，所述第三化合物半導體層包括所述第一極性；
其中所述第三化合物半導體層包括具有不同厚度的部分。
2.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，其中所述第一極性是負的。
3.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中在所述第三化合物半導體層中形成有貫通口；以及
所述化合物半導體器件還包括填充所述通孔的柵電極。
4.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，還包括形成在所述第三化合物半導體層上的場板電極。
5.根據權利要求4所述的化合物半導體器件，其中所述場板電極形成在所述第三化合物半導體層的薄的部分上。
6.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，還包括形成在所述第一化合物半導體層上方的一對電極，所述一對電極在所述第三化合物半導體層的兩側上；
其中，所述第三化合物半導體層的更接近所述電極之一的部分形成為比所述第三化合物半導體層的更靠近另一個電極的部分薄。
7.一種用于制造化合物半導體器件的方法，所述方法包括：
形成包括第一極性的第一化合物半導體層；
在所述第一化合物半導體層上方形成第二化合物半導體層，所述第二化合物半導體層包括第二極性；
在所述第二化合物半導體層上方形成第三化合物半導體層，所述第三化合物半導體層包括所述第二極性；以及
在所述第三化合物半導體層中形成具有不同厚度的部分。
8.根據權利要求7所述的用于制造化合物半導體器件的方法，其中所述第一極性是負的。
9.根據權利要求7或8所述的用于制造化合物半導體器件的方法，還包括：
在所述第三化合物半導體層中形成通孔；以及
形成填充所述通孔的柵電極。
10.根據權利要求7或8所述的用于制造化合物半導體器件的方法，還包括在所述第一化合物半導體層上方形成一對電極，所述一對電極在所述第三化合物半導體層的兩側上；
其中，所述第三化合物半導體層的更靠近所述電極之一的部分形成為比所述第三化合物半導體層的更靠近另一個電極的部分薄。
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