[發明專利]用于RF-LDMOS器件的新型柵結構

有效

• 申請號: 201210266787.7
• 申請日: 2012-07-30
• 公開（公告）號: CN102760771A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 曾大杰;余庭;張耀輝
• 申請（專利權）人: 昆山華太電子技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 范晴

1.一種用于RF-LDMOS器件的新型柵結構，包括RF-LDMOS基本結構（1），RF-LDMOS基本結構（1）包括最下層的重摻雜襯底（2）區、設于重摻雜襯底（2）區上的外延層（3）以及設于外延層（3）上方的柵（13），所述的外延層（3）內設置有重摻雜源區（8）、重摻雜漏區（6），所述的重摻雜源區（8）、重摻雜漏區（6）分別位于柵（13）的不同側，在所述的外延層（3）內位于所述的重摻雜源區（8）、重摻雜漏區（6）之間依次設有溝道區（9）以及漏漂移區（5），所述的溝道區（9）與重摻雜源區（8）和漏漂移區（5）相接觸，其特征在于，所述的重摻雜源區（8）和重摻雜襯底（2）之間設置有重摻雜連接或用導電物填充的溝槽（4），溝槽內的重摻雜或者導電物與重摻雜襯底（2）和重摻雜源區（8）相接觸，所述的漏漂移區（5）與重摻雜漏區（6）相接觸，所述的柵（13）位于溝道區（9）上方，所述的柵（13）上覆蓋有一層柵極擴展層（14），所述的柵極擴展層（14）與柵（13）相接觸。

2.根據權利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型柵結構，其特征在于，所述的覆蓋在柵（13）上的柵極擴展層（14）完全覆蓋柵（13），并向重摻雜源區（8）和重摻雜漏區（6）延伸相同的距離。

3.根據權利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型柵結構，其特征在于，所述的覆蓋在柵（13）上的柵極擴展層（14）完全覆蓋柵（13），并向重摻雜源區（8）延伸的距離較短甚至為零，向重摻雜漏區（6）延伸的距離較長。

4.根據權利要求1或2或3所述的用于RF-LDMOS器件的新型柵結構，其特征在于，所述的柵極擴展層（14）的材料可以是重摻雜的半導體或者金屬硅化物或者金屬。

5.根據權利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型柵結構，其特征在于，所述的外延層（3）上方設有源端金屬引線（12）和漏端金屬引線（11）共兩個金屬引線，所述的源端金屬引線（12）與重摻雜源區（8）相接觸將源端引出，也可以通過重摻雜連接或用導電物填充的溝槽（4）連接到重摻雜襯底（2）直接引出，所述的漏端金屬引線（11）與重摻雜漏區（6）相接觸將漏端引出。

6.根據權利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型柵結構，其特征在于，所述的柵（13）與外延層（3）之間設有用于絕緣的氧化層（10）。

7.根據權利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型柵結構，其特征在于，所述的溝道區（9）下方設有重摻雜區（7），用于為溝道區（9）提供一個固定的電位。

8.根據權利要求1所述的用于RF-LDMOS器件的新型柵結構，其特征在于，在從柵（13）朝向漏漂移區（5）的水平方向上設有一層場板（15），所述的整體呈階梯狀的場板（15）的一端覆蓋在柵極擴展層（14）的上方，所述的場板（15）的另一端在漏漂移區（5）上具有水平延伸。