[發(fā)明專利]啟動器的過流保護(hù)裝置以及啟動器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210266695.9
• 申請日: 2012-07-30
• 公開（公告）號: CN102842899A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪寧;李國宏;汪輝;陳杰;章琦;袁盾山
• 申請（專利權(quán)）人: 上海中科高等研究院
• 主分類號: H02H9/02
• 分類號: H02H9/02
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種啟動器的過流保護(hù)裝置，其特征在于，包括一上拉晶體管、一輸入采樣晶體管和一控制晶體管；所述輸入采樣晶體管的柵極電學(xué)連接至過流保護(hù)裝置的控制端，源/漏極電學(xué)連接至上拉晶體管的柵極，漏/源極接地；所述控制晶體管的柵極電學(xué)連接至一控制信號端；源/漏極電學(xué)連接至上拉晶體管的柵極，漏/源極電學(xué)連接至高電平端；所述上拉晶體管的漏/源極電學(xué)連接至高電平端，源/漏極電學(xué)連接至過流保護(hù)裝置的輸出端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一密勒電容，所述電容的一端電學(xué)連接至控制晶體管的柵極，另一端電學(xué)連接至控制晶體管的源/漏極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一電阻，所述電阻設(shè)置于控制晶體管漏/源極與系統(tǒng)高電平端之間。

4.一種啟動器，包括一啟動模塊和一負(fù)載電流采樣裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)裝置，所述啟動模塊的輸入端電學(xué)連接至啟動信號端，輸出端連接至啟動器的輸出端；所述負(fù)載電流采樣裝置的輸入端電學(xué)連接至啟動信號端，第一輸出端電學(xué)連接至啟動器的輸出端，第二輸出端電學(xué)連接至過流保護(hù)裝置的輸入端；所述過流保護(hù)裝置的輸出端電學(xué)連接至啟動信號端。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的啟動器，其特征在于，所述負(fù)載電流采樣裝置進(jìn)一步包括一輸出晶體管，所述輸出晶體管的柵極電學(xué)連接至過流保護(hù)裝置的輸入采樣晶體管的柵極，與之呈鏡像關(guān)系，所述輸出晶體管的漏/源極接地。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的啟動器，其特征在于，所述啟動裝置中進(jìn)一步包括一下拉晶體管，所述下拉晶體管的源/漏極電學(xué)連接至啟動器的啟動信號端，漏/源極接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的啟動器，其特征在于，所述過流保護(hù)裝置進(jìn)一步包括一密勒電容，所述電容的一端電學(xué)連接至控制晶體管的柵極，另一端電學(xué)連接至控制晶體管的源/漏極。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的啟動器，其特征在于，所述過流保護(hù)裝置進(jìn)一步包括一電阻，所述電阻設(shè)置于控制晶體管漏/源極與系統(tǒng)高電平端之間。