[發明專利]一種透明導電薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201210266487.9
• 申請日: 2012-07-30
• 公開（公告）號: CN103568393A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;馮小明
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: B32B15/04
• 分類號: B32B15/04;B32B9/04;C23C14/24;C23C14/08;C23C14/18
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種透明導電薄膜，其特征在于，該導電薄膜包括作為緩沖和匹配作用的MgO層，作為導電作用的Ag層，以及作為高功函作用的WO₃層；且MgO層、Ag層和WO₃層形成MgO-Ag-WO₃三文治結構；MgO層、Ag層和WO₃層的厚度分別為30～100nm、5～50nm和0.5～5nm。

2.根據權利要求1所述的透明導電薄膜，其特征在于，所述MgO層、Ag層和WO₃層的厚度分別為80nm、25nm和2nm。

3.一種的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、把襯底、MgO、Ag和WO₃分別放入蒸鍍設備真空腔的四個鉬舟中，并對真空腔抽真空；

S2、制備透明導電薄膜：首先，控制蒸發速度為1～50nm/min，在襯底表面制備厚度為30～100nm且起緩沖和匹配作用的MgO層；接著，控制蒸發速度為0.5～20nm/min，在MgO層表面制備厚度為5～50nm且起導電作用的Ag層；最后，控制蒸發速度為0.1～10nm/min，在Ag層表面制備厚度為0.5～5nm且起高功函作用的WO₃層；待蒸鍍過程結束后，制得MgO-Ag-WO₃三文治結構的透明導電薄膜。

4.根據權利要求3所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S1中，對真空腔抽真空是采用機械泵和分子泵進行的，且真空腔的真空度抽至1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa。

5.根據權利要求4所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S1中，真空腔的真空度抽至2.0×10^-4Pa。

6.根據權利要求3所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，在制備MgO層時，蒸發速率為10nm/min。

7.根據權利要求3所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，在制備Ag層時，蒸發速率為3nm/min。

8.根據權利要求3所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，在制備WO₃層時，蒸發速率為0.3nm/min。

9.根據權利要求3至8任一所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底為石英片，單晶硅片或藍寶石。