[發明專利]氮化硅薄膜的制造方法

有效

• 申請號: 201210266307.7
• 申請日: 2012-07-30
• 公開（公告）號: CN103578937A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 李展信
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/318
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種氮化硅薄膜的制造方法，包括在350℃以下的環境溫度中通入硅烷、氨氣和稀釋氣體，以生成并沉積形成氮化硅薄膜的步驟，其特征在于，

通入硅烷的速率為300~350sccm、通入氨氣的速率為1000sccm；

高頻源功率為0.15~0.30KW，低頻源功率為0.15~0.30KW；

反應壓力為2.3~2.6Torr；

反應持續時間為4~6s。

2.根據權利要求1所述的氮化硅薄膜的制造方法，其特征在于，所述環境溫度為300℃。

3.根據權利要求1所述的氮化硅薄膜的制造方法，其特征在于，

通入硅烷的速率為340sccm、通入氨氣的速率為1000sccm；

高頻源功率為0.18KW、低頻源功率為0.25KW；

反應壓力為2.6Torr；

反應持續時間為5s。

4.根據權利要求1至3任一項所述的氮化硅薄膜的制造方法，其特征在于，所述稀釋氣體為氮氣。

5.根據權利要求4所述的氮化硅薄膜的制造方法，其特征在于，通入氮氣的速率為1000sccm。