[發(fā)明專利]硅晶圓拋光制程方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210266115.6
• 申請日: 2012-07-30
• 公開（公告）號: CN102773790A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李彬;賀賢漢;金文明;余圖斌
• 申請（專利權(quán)）人: 上海申和熱磁電子有限公司
• 主分類號: B24B37/02
• 分類號: B24B37/02
• 代理公司: 上海元一成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31268
• 代理人: 趙青

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料生產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域，特別是一種硅晶圓拋光制程方法及其制造方法。

背景技術(shù)

拋光是硅晶圓（以下簡稱“晶圓”）加工必經(jīng)的一道工序，拋光制程的好壞直接影響到晶圓的品質(zhì)，從而決定最終電子產(chǎn)品的質(zhì)量。

有蠟單面拋光制程包含以下主要步驟：貼付前洗凈→貼付→粗拋→中拋→精拋→剝離→去蠟洗凈。三段拋光增加了制程的繁瑣性，也增加了機(jī)臺的成本投入。

三段拋光都可簡要分為以下階段：減壓水拋→加壓研磨液拋光→減壓水拋，每段拋光結(jié)束后都要將貼有晶圓的陶瓷板搬到下步制程機(jī)臺，這之間的每步搬送時(shí)間如果超過5分鐘，晶圓表面很容易產(chǎn)生“白霧”現(xiàn)象。

晶圓剝離后一般會(huì)放置在加入表面活性劑的水槽中，但隨著使用時(shí)間的推移，帶入槽內(nèi)的研磨液顆粒以及生產(chǎn)現(xiàn)場的環(huán)境顆粒會(huì)在槽內(nèi)逐漸積累，晶圓產(chǎn)品的顆粒污染風(fēng)險(xiǎn)增加。而且更換純水、重新配制溶液也會(huì)占用一部分生產(chǎn)時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種針對已有制程中存在的不足，有效簡化了制程、提升制程的合格率的硅晶圓拋光制程方法及其制造方法。

本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法，包括如下步驟：

S1，前洗凈；S2，貼付；S3，粗拋；S4，中拋；S5，精拋；S6，剝離；S7，去蠟洗凈；其中所述粗拋、所述中拋及所述精拋分別包括，S1.1，前減壓水拋；S1.2，加壓研磨液拋光；S1.3，后減壓水拋；在所述粗拋及所述精拋中的所述后減壓水拋之后加有減壓表面活性劑拋光步驟。

所述減壓表面活性劑拋光中的表面活性劑為聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液。所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液的濃度為0.1%～0.5%。所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液所使用的溶劑為純水，所述純水的電阻率大于17MΩ·cm，0.20μm粒徑以上顆粒每毫升少于20個(gè)，總有機(jī)碳小于3ppb。

本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法簡化了拋光制程，有效降低了固定資產(chǎn)的投入，另外通過增加“減壓表面活性劑拋光”，有效消除了晶圓表面的“白霧”現(xiàn)象。而采用高品質(zhì)的流動(dòng)純水進(jìn)行剝離后晶圓的短期保存，不僅顆粒問題得以改進(jìn)，更換、配制溶液的作業(yè)也無需進(jìn)行，減輕了作業(yè)負(fù)擔(dān)，制程的合格率也得以提升。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法，包括如下步驟：S1，前洗凈；S2，貼付；S3，粗拋；S4，中拋；S5，精拋；S6，剝離；S7，去蠟洗凈；其中粗拋、中拋及精拋分別包括，S1.1，前減壓水拋；S1.2，加壓研磨液拋光；S1.3，后減壓水拋；在粗拋及精拋中的后減壓水拋之后加有減壓表面活性劑拋光步驟。

減壓表面活性劑拋光中的表面活性劑為聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液。聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液的濃度為0.1%～0.5%。聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液所使用的溶劑為純水，純水的電阻率大于17MΩ·cm，0.20μm粒徑以上顆粒每毫升少于20個(gè)，總有機(jī)碳小于3ppb。

本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法將三段拋光整合為兩臺機(jī)器完成，其中粗拋仍使用一臺機(jī)器，中拋和精拋整合到一臺機(jī)器上，因?yàn)橹瞥陶虾笾袙佂瓴恍枰徇\(yùn)陶瓷板了，因此，在“粗拋”和“精拋”的“后減壓水拋”后增加“減壓表面活性劑拋光”。其中，對中拋研磨液采用循環(huán)使用，精拋研磨液采用直排方式。粗拋和精拋制程中在“減壓水拋”后增加“減壓表面活性劑拋光”，有效解決了因搬送停留時(shí)間長而導(dǎo)致的晶圓表面的“白霧”現(xiàn)象。

表面活性劑是選用聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液，根據(jù)實(shí)際情況，可選擇0.1%～0.5%不同濃度配比。其中溶劑是使用純水，純水要求電阻率大于17MΩ.cm，0.20μm粒徑以上顆粒每毫升少于20個(gè)，總有機(jī)碳小于3ppb，槽中的純水采取溢流方式，根據(jù)實(shí)際情況，可在0.5L/min～5L/min范圍內(nèi)選擇適宜的溢流量。本表面活性劑也用于晶圓剝離后放置到水槽中等待“去蠟洗凈”時(shí)浸泡使用。

本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法簡化了拋光制程，有效降低了固定資產(chǎn)的投入，另外通過增加“減壓表面活性劑拋光”，有效消除了晶圓表面的“白霧”現(xiàn)象。而采用高品質(zhì)的流動(dòng)純水進(jìn)行剝離后晶圓的短期保存，不僅顆粒問題得以改進(jìn)，更換、配制溶液的作業(yè)也無需進(jìn)行，減輕了作業(yè)負(fù)擔(dān)，制程的合格率也得以提升。

以上已對本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實(shí)施例進(jìn)行了具體說明，但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。