[發明專利]一種Sn-S基熱電化合物及其制備方法有效
| 申請號： | 201210265582.7 | 申請日： | 2012-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN102867905A | 公開（公告）日： | 2013-01-09 |
| 發明（設計）人： | 李敬鋒;譚晴 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L35/34 | 分類號： | H01L35/34;H01L35/16 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 賈玉;李志東 |
| 地址： | 100084 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sn 熱電 化合物 及其 制備 方法 | ||
1.一種Sn-S基熱電化合物的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
a）提供初始原料，所述初始原料中含有Sn單質、S單質以及Ag、Cu或In單質，所述Sn單質、S單質以及Ag、Cu或In單質的摩爾比為1：0.8～2：0～1；
b）將所述初始原料在保護氣體氣氛中進行干磨；
c）將干磨后的物料加入有機液體介質進行濕磨；
d）將濕磨后的粉末取出烘干，得到干燥粉末；
e）將所述干燥粉末壓實后進行真空燒結，得到Sn-S基熱電化合物。
2.根據權利要求1所述的Sn-S基熱電化合物的制備方法，其特征在于，所述步驟b）包括：
b-1）將所述初始原料加入球磨罐，并將球磨罐進行抽真空；
b-2）向經過抽真空的球磨罐內通入保護氣體，并將球磨罐安裝于球磨機上進行干磨。
3.根據權利要求1所述的Sn-S基熱電化合物的制備方法，其特征在于，所述保護氣體為氬氣。
4.根據權利要求2所述的Sn-S基熱電化合物的制備方法，其特征在于，所述步驟b）中干磨的轉速為200～450轉/min，干磨時間為2～20小時。
5.根據權利要求1所述的Sn-S基熱電化合物的制備方法，其特征在于，所述步驟c）中濕磨的轉速為50～350轉/min，濕磨時間為15～120分鐘。
6.根據權利要求1所述的Sn-S基熱電化合物的制備方法，其特征在于，所述有機介液體質為無水乙醇。
7.根據權利要求1所述的Sn-S基熱電化合物的制備方法，其特征在于，所述步驟e）包括：
e-1）將所述干燥粉末加入石墨模具中，用石墨壓頭壓實，得到塊體樣品；
e-2）將所述塊體樣品加入放電等離子燒結爐中，在真空條件下燒結，冷卻后得到Sn-S基熱電化合物塊體。
8.根據權利要求7所述的Sn-S基熱電化合物的制備方法，其特征在于，在所述步驟e-2）中，所述放電等離子燒結爐升溫速度為40～180℃/min，燒結溫度為550～700℃，壓力為20～60Mpa，保溫時間為5～10分鐘。
9.根據權利要求1所述的Sn-S基熱電化合物的制備方法，其特征在于，所述真空條件為真空度小于20Pa。
10.根據權利要求1-9中任一項所述的Sn-S基熱電化合物的制備方法制備得到的Sn-S基熱電化合物。
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