[發明專利]一種LDMOS柵極的制作方法及產品

無效

• 申請號: 201210265532.9
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN103578997A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 潘光燃
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種LDMOS橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管柵極的制作方法，其特征在于，包括：

采用叉指形平面結構制作LDMOS的漏區、源區和多晶硅柵；

在每兩個相鄰的漏區之間的源區中，制作若干個新增場區；

在所述新增場區中制作多晶硅層凸起，使所述多晶硅層凸起穿過源區與多晶硅柵相連，并在多晶硅柵上間隔設定距離制作多個多晶硅層凸起，其中，各個多晶硅層凸起均貫穿與多晶硅柵相鄰的源區、且延伸至源區外的場區；

在各個多晶硅層凸起上制作接觸孔；

制作金屬線，利用金屬線將所有的多晶硅層凸起上的接觸孔串聯起來。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述接觸孔完全被場區包圍。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述新增場區制作成邊長為2-5微米的矩形。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述接觸孔制作成邊長為0.25-3微米的矩形。

5.如權利要求1~4任一項所述的方法，其特征在于，用鋁或銅制作所述金屬線。

6.一種電子產品，其特征在于，包括：

采用叉指形平面結構制作的LDMOS漏區、源區和多晶硅柵；

新增場區，位于在每兩個相鄰的漏區之間的源區中；

多晶硅層凸起，位于所述新增場區中，穿過源區與多晶硅柵相連，以及位于多晶硅柵上間隔設定距離，并貫穿與多晶硅柵相鄰的源區、且延伸至源區外的場區；

接觸孔，位于各個多晶硅層凸起上；

金屬線，用于將所有的多晶硅層凸起上的接觸孔串聯起來。

7.如權利要求6所述的產品，其特征在于，所述接觸孔完全被場區包圍。

8.如權利要求6所述的產品，其特征在于，所述新增場區為邊長為2-5微米的矩形。

9.如權利要求6所述的產品，其特征在于，所述接觸孔為邊長為0.25-3微米的矩形。

10.如權利要求6~9任一項所述的產品，其特征在于，所述金屬線的材質為鋁或銅。