[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210265530.X
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN102790051A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳昊;陳雅娟;尹巖巖;王磊
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/544;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，包括多個像素單元，每一個所述像素單元包括第一透明金屬層和第二透明金屬層，所述第一透明金屬層形成像素電極，所述第二透明金屬層形成公共電極，且所述第二透明金屬層位于所述像素單元表面，所述第一透明金屬層與所述第二透明金屬層之間設(shè)有絕緣防護層；其特征在于，每一個所述像素單元的像素電極延伸出測試部，所述第二透明金屬層還形成有與所述測試部對應(yīng)的測試塊，所述測試塊與所述公共電極相互隔離，所述絕緣防護層位于所述測試塊與所述測試部之間的部分設(shè)有至少一個過孔，所述測試塊與所述測試部通過所述過孔電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述過孔為至少兩個。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述過孔內(nèi)填充有連接部，所述連接部與所述測試塊具有沉積而成的一體式結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述測試部與測試塊所在區(qū)域位于像素單元的顯示區(qū)域之外。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元中包含有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管采用頂柵型結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，每一個所述像素單元中：

形成于基板上的數(shù)據(jù)線、源極和漏極，所述源極與相鄰的數(shù)據(jù)線電連接；

形成于所述基板上、以及所述源極和所述漏極之間的溝道內(nèi)的第一絕緣層;

形成于所述源極和漏極上的具有預定圖形結(jié)構(gòu)的有源層;

形成于所述數(shù)據(jù)線和所述有源層上的第二絕緣層，所述第二絕緣層具有過孔；

形成于所述第二絕緣層上的像素電極，所述像素電極通過所述第二絕緣層上的過孔與所述漏極電連接，且所述像素電極延伸出的所述測試部位于所述數(shù)據(jù)線的上方；

形成于所述第二絕緣層的第一絕緣防護層，所述第一絕緣防護層與所述像素電極同層設(shè)置；

形成于所述第一絕緣防護層上的柵極層；

形成于所述柵極層以及所述像素電極上的第二絕緣防護層，所述第二絕緣防護層具有過孔；

形成于所述第二透明金屬層上的公共電極以及所述測試塊，所述測試塊與所述測試部通過設(shè)置于所述第二絕緣防護層的過孔內(nèi)的連接部電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極為具有狹縫狀結(jié)構(gòu)的透明電極；所述像素電極為板狀的透明電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明金屬層與所述第二透明金屬層的制作材料相同。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一項所述的陣列基板。

10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上制作源漏極金屬層，并形成相應(yīng)圖形的源極和漏極，以及形成相應(yīng)圖形的數(shù)據(jù)線；

在源漏極金屬層上制作第一絕緣層，并形成相應(yīng)的圖形；

在源漏極金屬層上制作有源層；

在有源層上制作第二絕緣層；

在所述第二絕緣層與所述漏極對應(yīng)位置制作過孔；

在第二絕緣層上制作第一透明金屬層，并形成相應(yīng)圖形的像素電極，所述像素電極與所述漏極通過第二絕緣層設(shè)置的過孔電連接，且所述像素電極延伸出測試部；

在第二絕緣層上沉積第一絕緣防護層；

在第一絕緣防護層上制作柵極層，并形成相應(yīng)圖形的柵線；

在柵極層上均勻沉積第二絕緣防護層；

第二絕緣防護層與數(shù)據(jù)線對應(yīng)位置制作過孔；

在第二絕緣防護層上制作第二透明金屬層，并形成相應(yīng)圖形的公共電極，以及長條狀的測試塊，所述測試塊與所述測試部通過第二絕緣防護層設(shè)置的過孔電連接。