[發明專利]一種在閃存芯片制造過程中應用多晶硅源極接觸窗的方法

無效

• 申請號: 201210265281.4
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN103579120A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 李煦
• 申請（專利權）人: 和艦科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 賀小明

1.一種在Flash芯片制造過程中應用多晶硅源極接觸窗的方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟1：對Flash芯片進行層間介質沉積；

步驟2：用一塊光罩打開源極的區域，而后沉積一層多晶硅；

步驟3：把多晶硅蝕刻到浮動閾值以下，然后進行植入摻雜；

步驟4：使用磷硅玻璃填充源極打開的區域，然后進行化學機械拋光；

步驟5：做觸點蝕刻，利用氧化物/多晶硅蝕刻的高選擇比，使其停在源極的多晶硅上。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3中所述蝕刻為干法蝕刻。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3中蝕刻厚度為層間介質高度減去浮動柵高度。