[發(fā)明專利]一種利用原子力納米探針測試金屬層的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210264858.X | 申請日： | 2012-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN102759638A | 公開（公告）日： | 2012-10-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李劍;唐涌耀 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01Q60/24 | 分類號： | G01Q60/24;G01Q60/38 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 利用 原子 納米 探針 測試 金屬 方法 | ||
1.一種利用原子力納米探針測試金屬層的方法，其特征在于，包括下列步驟：
將樣品研磨到待測點(diǎn)金屬層；
在所述研磨好的樣品上均勻覆蓋一層有機(jī)掩模層；
去除所述樣品待測點(diǎn)金屬層上的有機(jī)掩模層；
將高硬度導(dǎo)電材料覆蓋到待測點(diǎn)金屬層上；
使用有機(jī)溶劑去除所述樣品上的有機(jī)掩模。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用原子力納米探針測試金屬層的方法，其特征在于，該方法采用聚焦離子束去除待測點(diǎn)金屬層上的有機(jī)掩模層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用原子力納米探針測試金屬層的方法，其特征在于，所述高硬度導(dǎo)電材料為金、鈷或者鎢。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用原子力納米探針測試金屬層的方法，其特征在于，該方法采用聚焦離子束或?yàn)R鍍的方法將所述高硬度導(dǎo)電材料覆蓋到待測點(diǎn)金屬層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用原子力納米探針測試金屬層的方法，其特征在于，所述有機(jī)掩膜層的厚度為50?！?00埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用原子力納米探針測試金屬層的方法，其特征在于，該方法還包括在使用有機(jī)溶劑去除有機(jī)掩模后，在去離子水中輕磨所述樣品。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用原子力納米探針測試金屬層的方法，其特征在于，該方法在用有機(jī)溶劑去除所述有機(jī)掩膜時，所述樣品覆蓋有有機(jī)掩模的一面朝下。
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G01Q 掃描探針技術(shù)或設(shè)備；掃描探針技術(shù)的應(yīng)用，例如，掃描探針顯微術(shù)[SPM]
G01Q60-00 特殊類型的SPM [掃描探針顯微術(shù)]或其設(shè)備；其基本組成
G01Q60-02 .多個類型SPM，即包括兩種或更多種SPM技術(shù)
G01Q60-10 .STM [掃描隧道顯微術(shù)]或其設(shè)備，例如STM探針
G01Q60-18 .SNOM [掃描近場光學(xué)顯微術(shù)]或其設(shè)備，例如，SNOM探針
G01Q60-24 .AFM [原子力顯微術(shù)]或其設(shè)備，例如AFM探針
G01Q60-44 .SICM [掃描離子電導(dǎo)顯微術(shù)]或其設(shè)備，例如SICM探針
