[發明專利]一種制備銅納米線和銅納米尖錐的方法無效
| 申請號： | 201210264695.5 | 申請日： | 2012-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN102776469A | 公開（公告）日： | 2012-11-14 |
| 發明（設計）人： | 陳軍;宋曉萌;許寧生;鄧少芝 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | C23C8/12 | 分類號： | C23C8/12;B81C1/00;H01J1/304;H01M4/02;H01G9/042 |
| 代理公司： | 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100 | 代理人： | 華輝 |
| 地址： | 510275 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 納米 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備銅納米線和銅納米尖錐的方法，其特征在于：按照以下步驟進行：
（1）清洗銅襯底，除去襯底上的雜質；
（2）在有氧氣的氣體氣氛下加熱至350～600℃，并保溫10分鐘～6小時，然后自然降溫，以使銅襯底表面形成一層氧化銅層或氧化銅納米線；
（3）將上述樣品放入真空腔中，用氬離子轟擊，以在襯底上形成銅納米線或銅納米尖錐陣列。
2.根據權利要求1所述的制備銅納米線和銅納米尖錐的方法，其特征在于：所述襯底是單晶銅，多晶銅，或鍍有銅薄膜的硅片、玻璃或金屬片。
3.根據權利要求1所述的制備銅納米線和銅納米尖錐的方法，其特征在于：所述氬離子轟擊的能量為100eV至～1000eV，轟擊時間為1min至120min。
4.根據權利要求1所述的制備銅納米線和銅納米尖錐的方法，其特征在于：所述離子轟擊的離子源為考夫曼離子源、微波ECR離子源或RF離子源。
5.按權利要求1，2，3或4所述的方法制備的銅納米線或銅納米尖錐陣列在場發射冷陰極或具有鋰電池、超級電容器的光電器件上的應用。
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