[發明專利]通孔優先銅互連制作方法無效
| 申請號: | 201210264542.0 | 申請日: | 2012-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN102751239A | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發明(設計)人: | 毛智彪 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陸花 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 優先 互連 制作方法 | ||
1.一種通孔優先銅互連制作方法,其特征在于,包括:
在襯底硅片上沉積介質層,并在所述介質層上涂布第一光刻膠,以及在所述第一光刻膠中形成通孔結構,所述第一光刻膠能夠形成硬膜;
在同一顯影機臺內,在所述第一光刻膠圖形上涂布化學微縮材料使得所述第一光刻膠中的通孔結構固化,并通過加熱使所述化學微縮材料與所述第一光刻膠表面反應,從而在所述第一光刻膠表面形成隔離膜;
在固化后的第一光刻膠上涂布第二光刻膠,其中,上述步驟所形成的隔離膜不溶于該第二光刻膠,并在所述第二光刻膠中形成位于所述通孔結構上方的溝槽結構;
將所述通孔結構和所述溝槽結構轉移到所述介質層中;
繼續后續的金屬沉積和金屬化學機械研磨工藝,以完成導線金屬和通孔金屬填充。
2.如權利要求1所述的通孔優先銅互連制作方法,其特征在于,所述介質層具有低介電常數。
3.如權利要求1所述的通孔優先銅互連制作方法,其特征在于,所述第一光刻膠和所述第二光刻膠的抗刻蝕能力比大于等于1.5:1。
4.如權利要求3所述的通孔優先銅互連制作方法,其特征在于,所述第一光刻膠采用含硅烷基、硅烷氧基和籠形硅氧烷之一或組合的光刻膠。
5.如權利要求1所述的通孔優先銅互連制作方法,其特征在于,所述化學微縮材料為含烷基氨基的水溶性高分子材料。
6.如權利要求5所述的通孔優先銅互連制作方法,其特征在于,所述化學微縮材料為烷基氨基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯高分子材料。
7.如權利要求1所述的通孔優先銅互連制作方法,其特征在于,所述加熱的溫度為80攝氏度至180攝氏度之間的任一值。
8.如權利要求7所述的通孔優先銅互連制作方法,其特征在于,所述加熱的溫度為90攝氏度至170攝氏度之間的任一值。
9.如權利要求1所述的通孔優先銅互連制作方法,其特征在于,還包括:生成隔離膜之后,通過去離子水或表面活性劑的去離子水溶液將多余的化學微縮材料去除。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





