[發(fā)明專利]一種柔性襯底硅化鐵(βFeSi2)薄膜太陽電池及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210264393.8 | 申請日: | 2012-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN102760776A | 公開(公告)日: | 2012-10-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王澤洪 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇天孚太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/02 | 分類號: | H01L31/02;H01L31/0368;H01L31/032;H01L31/068;H01L31/18 |
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| 地址: | 212300 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 柔性 襯底 硅化鐵 fesi sub 薄膜 太陽電池 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太陽電池技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種柔性襯底硅化鐵(β-FeSi2)薄膜太陽電池及其制備方法。?
背景技術(shù)
直接帶隙半導(dǎo)體材料硅化鐵(β-FeSi2)具有原材料儲(chǔ)量豐富、無毒性、高吸收系數(shù)(~105cm-1)等特點(diǎn),其帶隙寬度為0.8eV~0.92eV,在光電、熱電、微電子等領(lǐng)域越來越受到重視和發(fā)展。?
β-FeSi2材料帶隙寬度較窄,其對太陽光光譜的響應(yīng)范圍可擴(kuò)展至1450nm左右,大大地提高了太陽光譜的利用率,基于β-FeSi2材料的太陽電池理論轉(zhuǎn)換效率可達(dá)25%以上。太陽電池中的β-FeSi2材料厚度小于1μm,并可采用磁控濺射等低成本鍍膜方法進(jìn)行制備,將大幅降低太陽電池的制備成本。因此,β-FeSi2薄膜被視為一種可實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比、長壽命太陽電池的新型光伏材料。?
目前,基于β-FeSi2材料的太陽電池結(jié)構(gòu)主要為β-FeSi2/Si異質(zhì)結(jié)形式,即在單晶Si襯底上沉積β-FeSi2材料,從而制備出太陽電池。2006年日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所研究人員制備出β-FeSi2/Si異質(zhì)結(jié)太陽電池,電池效率為3.7%(Solar?Energy?Materials&Solar?Cells?90(2006)276)。上述研究機(jī)構(gòu)也開展了在金屬鉬、鐵、不銹鋼等非硅廉價(jià)襯底材料上制備β-FeSi2薄膜材的相關(guān)研究,β-FeSi2材料由面向?qū)Π写趴貫R射沉積獲得(Thin?Solid?Films?515(2006)1532);另外,該機(jī)構(gòu)研究人員在不銹鋼上預(yù)沉積Fe3Si過渡薄層,以制備出低剩余電子濃度的單一相結(jié)構(gòu)β-FeSi2,但效果并不理想(Journal?of?Crystal?Growth?307(2007)82)。專利CN101388423B提出了一種在陶瓷薄片、耐高溫金屬薄片等非硅襯底上制備β-FeSi2薄膜材料的制備方法,主要采用磁控濺射?等鍍膜手段,通過多周期方式制備出Si/Fe多層膜,隨后進(jìn)行700℃~1000℃下熱退火獲得晶態(tài)半導(dǎo)體β-FeSi2薄膜,但是這種制備方法增加了工藝過程,提高了制造成本。專利CN200910068154.3提出了在單晶硅上制備β-FeSi2/Si異質(zhì)結(jié)太陽電池的方法,其中利用直流磁控濺射Fe-Si組合靶沉積出Fe-Si薄膜,然后通過后續(xù)的Ar氣氛圍、100℃~1000℃下熱退火工藝獲得單一相β-FeSi2薄膜,退火時(shí)間為0.5~20小時(shí);Fe-Si組合靶采用孿生對向靶方式,其靶材結(jié)構(gòu)為硅片綁定在鐵靶上面組合而成。?
目前,硅化鐵薄膜太陽電池襯底主要使用Si材料,材料成本高,不利于電池產(chǎn)品的市場應(yīng)用。在廉價(jià)的不銹鋼箔等非硅襯底上,制備β-FeSi2薄膜太陽電池,可大幅降低材料成本,同時(shí)電池具有輕質(zhì)、可卷曲、便于攜帶等特點(diǎn),大大提高了電池產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域,并易于采用卷對卷連續(xù)化方式進(jìn)行大面積電池產(chǎn)品的規(guī)模化生產(chǎn),進(jìn)一步降低電池成本。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種新型結(jié)構(gòu)的柔性硅化鐵(β-FeSi2)薄膜太陽電池及其制備方法,不但可以提高電池性能,而且太陽電池pn結(jié)都由β-FeSi2多晶薄膜材料組成,大幅降低電池材料成本,并具有輕質(zhì)、可卷曲等特點(diǎn)。?
本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種柔性襯底硅化鐵薄膜太陽電池,依次由襯底[1]、底電極[2]、過渡層[3]、N型薄膜層[4]、弱N型薄膜層[5]、P型薄膜層[6]、透明導(dǎo)電層[7]和上電極金屬膜[8]材料組成,其特征在于:所述的襯底[1]為柔性金屬箔材料。?
在上述技術(shù)方案中,本發(fā)明以N型多晶薄膜β-FeSi2、弱N型多晶薄膜β-FeSi2和P型多晶薄膜β-FeSi2形成n-p同質(zhì)結(jié),其導(dǎo)電類型由Fe/Si元素比進(jìn)行調(diào)節(jié),有利于實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比的柔性襯底β-FeSi2薄膜太陽電池。?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





