[發明專利]一種陶瓷柱柵陣列元器件的植柱裝置及方法

有效

• 申請號: 201210264353.3
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN102856215A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 姚全斌;練濱浩;黃穎卓;林鵬榮
• 申請（專利權）人: 北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 安麗

1.一種陶瓷柱柵陣列元器件的植柱裝置，其特征在于：該裝置從下往上依次包括底座(1)、焊柱平整化機構(2)、焊柱定位機構(3)、陶瓷外殼定位機構(4)和上蓋(5)；

底座(1)為中心帶有凸臺的平板；

焊柱平整化機構(2)為中空的平板；平板的一個側邊為切削邊，焊柱平整化機構(2)的中空部位與底座(1)的凸臺相匹配；

焊柱定位機構(3)為一平板，由網板組合；其中心帶有與待焊接焊柱直徑相適應的植柱孔；

陶瓷外殼定位機構(4)為中空的平板，陶瓷外殼定位機構(4)的每個側邊各帶有一限位臺，四個限位臺組成的空間與陶瓷外殼相匹配；每兩個限位臺之間是中空的；

上蓋(5)為中空的平板；

焊柱平整化機構(2)、焊柱定位機構(3)、陶瓷外殼定位機構(4)和上蓋(5)固定連接，底座(1)與焊柱平整化機構(2)固定連接；連接后，陶瓷外殼定位機構(4)和焊柱定位機構(3)的植柱孔都位于上蓋(5)的中空部位。

2.根據權利要求1所述的一種陶瓷柱柵陣列元器件的植柱裝置，其特征在于：網板是用激光進行精密加工的，其厚度為0.1～0.6mm。

3.根據權利要求1所述的一種陶瓷柱柵陣列元器件的植柱裝置，其特征在于：切削邊從焊柱平整化機構(2)的邊緣到中心的厚度逐漸變小，切削邊的傾斜度小于10°。

4.一種陶瓷柱柵陣列元器件的植柱方法，其特征在于該方法的步驟為：

1)將焊柱平整化機構(2)、焊柱定位機構(3)、陶瓷外殼定位機構(4)和上蓋(5)固定連接，然后將底座(1)與焊柱平整化機構(2)固定連接；

2)將待焊接焊柱按照陶瓷外殼焊盤分布的要求放置在焊柱定位機構(3)的植柱孔中，并穿過植柱孔至底座(1)的凸臺上；

3)在陶瓷外殼的焊盤上印刷焊錫膏，將陶瓷外殼放置于焊柱上，使焊錫膏與待焊接焊柱充分接觸，并通過陶瓷外殼定位機構(4)上的限位臺將陶瓷外殼進行定位；

4)將放置有陶瓷外殼的植柱裝置進行焊點的回流焊，待植柱裝置冷卻后將底座(1)取下，用切削工具通過焊柱平整化機構(2)的切削邊對焊柱表面進行平整化處理，最后將植好焊柱的陶瓷外殼從植柱裝置中取出。

5.根據權利要求4所述的一種陶瓷柱柵陣列元器件的植柱方法，其特征在于：步驟4)中的回流焊在回流爐內進行。

6.根據權利要求4或5所述的一種陶瓷柱柵陣列元器件的植柱方法，其特征在于：回流焊的峰值溫度為250～275℃，回流時間為30～60s。