[發(fā)明專利]液晶顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210262838.9
• 申請日: 2012-07-26
• 公開（公告）號: CN102902113A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李政潤;鄭英燮;趙恒燮;張斗熙
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362;H01L27/02
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括：

基板；

在所述基板上彼此交叉的柵極線和數(shù)據(jù)線，從而限定像素區(qū)域；

與所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；和

在所述像素區(qū)域彼此交替的多個像素電極和多個第一公共電極，所述多個像素電極和所述多個第一公共電極被配置為產(chǎn)生面內(nèi)電場，并且所述多個像素電極和所述多個第一公共電極的每一個都包括第一層和在所述第一層上的第二層，

其中所述第一層由不透明金屬制成并且具有第一厚度，而所述第二層由透明導(dǎo)電材料制成并且具有第二厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一層是鉬、鉬-鈦（MoTi）、銅（Cu）和氮化銅（CuNx）中的至少一種，所述第二層是氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）和鋁摻雜氧化鋅（AZO）中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述第一層厚度是約至約而所述第二層厚度是約至約

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進一步包括：

與所述柵極線平行的公共線；和

與所述公共線連接并位于所述像素區(qū)域兩側(cè)的多個第二公共電極，

其中所述多個像素電極和所述多個第一公共電極位于所述像素區(qū)域兩側(cè)的所述多個第二公共電極之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述公共線的一部分是第一存儲電極，所述薄膜晶體管的漏極與所述第一存儲電極交疊的部分是第二存儲電極，并且其中所述第一存儲電極和所述第二存儲電極與二者之間的柵極絕緣層一起形成存儲電容器。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，進一步包括在所述薄膜晶體管和所述存儲電容器上的鈍化層，其中所述多個像素電極和所述多個第二公共電極都在所述鈍化層上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，進一步包括：

在所述鈍化層上的輔助公共圖案，并且所述輔助公共圖案與所述多個第二公共電極的第一端連接；和

在所述鈍化層上的輔助像素圖案，并且所述輔助像素圖案與所述多個像素電極的第一端連接，

其中所述輔助公共圖案和所述輔助像素圖案與所述柵極線平行并且在所述像素區(qū)域中彼此相對。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述輔助公共圖案和所述輔助像素圖案的每一個都包括所述第一層和所述第二層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，進一步包括在所述鈍化層上的導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案與所述數(shù)據(jù)線和所述多個第二公共電極對應(yīng)，并且與所述輔助公共圖案連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述鈍化層包括暴露所述漏極的漏極接觸孔，以及暴露一個第二公共電極的公共接觸孔，其中所述輔助像素圖案通過所述漏極接觸孔接觸所述漏極，并且其中所述輔助公共圖案通過所述公共接觸孔接觸所述一個第二公共電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述數(shù)據(jù)線、所述多個像素電極和所述多個第二公共電極相對于所述像素區(qū)域的中心彎折，以在所述像素區(qū)域中形成雙域。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進一步包括直接在所述多個像素電極和所述多個第一公共電極上的取向?qū)印?/p>

13.一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括：

基板；

在所述基板上彼此交叉的柵極線和數(shù)據(jù)線，從而限定像素區(qū)域；

與所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；和

在所述像素區(qū)域彼此交替的多個像素電極和多個公共電極，所述多個像素電極和所述多個公共電極被配置為產(chǎn)生面內(nèi)電場，并且所述多個像素電極或所述多個公共電極包括第一層和在所述第一層上的第二層，

其中所述第一層由不透明金屬制成并且具有第一厚度，而所述第二層由透明導(dǎo)電材料制成并且具有第二厚度。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中在所述多個像素電極和所述多個公共電極之間設(shè)置有絕緣層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述多個像素電極或所述多個公共電極形成在所述絕緣層上。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述第一層是鉬、鉬-鈦（MoTi）、銅（Cu）和氮化銅（CuNx）中的至少一種，而所述第二層是氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）和鋁摻雜氧化鋅（AZO）中的至少一種。