[發明專利]一種傳感器及其制造方法

有效

• 申請號: 201210262819.6
• 申請日: 2012-07-26
• 公開（公告）號: CN102832222A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 徐少穎;謝振宇;陳旭
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種傳感器，其特征在于，包括：襯底基板、呈交叉排列的一組柵線和一組數據線，以及由所述一組柵線和一組數據線所界定的多個呈陣列狀排布的感測單元，每個感測單元包括薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器件，其中，

所述薄膜晶體管器件包括：相對而置形成溝道的源極和漏極，所述漏極與相鄰的數據線連接，以及位于源極和漏極之上的歐姆層、位于歐姆層之上并覆蓋溝道的有源層、位于有源層之上的柵極絕緣層和位于柵極絕緣層之上、溝道上方并與相鄰的柵線連接的柵極；

所述光電二極管傳感器件包括：位于襯底基板之上的偏壓電極和與偏壓電極連接的偏壓電極引腳、位于偏壓電極之上的光電二極管、位于光電二極管之上并與源極連接的透明電極。

2.如權利要求1所述的傳感器，其特征在于，還包括：

位于每個光電二極管傳感器件的透明電極和偏壓電極引腳之上、并覆蓋基板的第一鈍化層，所述源極、漏極和數據線位于所述第一鈍化層之上。

3.如權利要求2所述的傳感器，其特征在于，所述第一鈍化層具有容納源極、漏極、數據線和歐姆層的凹槽，以及連接源極和透明電極的通孔。

4.如權利要求3所述的傳感器，其特征在于，還包括：

位于柵線和每個薄膜晶體管器件的柵極之上、并覆蓋基板的第二鈍化層，所述第二鈍化層具有信號引導區過孔。

5.如權利要求1~4任一項所述的傳感器，其特征在于，所述光電二極管為PIN型光電二極管，包括：位于偏壓電極之上的N型半導體，位于N型半導體之上的I型半導體，以及位于I型半導體之上的P型半導體。

6.一種傳感器的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成偏壓電極的圖形、與偏壓電極連接的偏壓電極引腳的圖形、位于偏壓電極之上的光電二極管的圖形，以及位于光電二極管之上的透明電極的圖形；

通過一次構圖工藝形成源極、漏極和數據線的圖形，以及位于源極和漏極之上的歐姆層的圖形，其中，所述源極和漏極相對而置形成溝道，所述漏極與數據線連接，所述源極與透明電極連接；

通過一次構圖工藝形成位于歐姆層之上并覆蓋溝道的有源層的圖形；

形成覆蓋基板的柵極絕緣層，并通過一次構圖工藝形成位于柵極絕緣層之上、溝道上方的柵極的圖形，以及與柵極連接的柵線的圖形。

7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成光電二極管的圖形和透明電極的圖形的步驟之后，在形成源極、漏極和數據線的圖形和歐姆層的圖形的步驟之前，該方法進一步包括：

通過一次構圖工藝形成位于透明電極和偏壓電極引腳之上、并覆蓋基板的第一鈍化層的圖形，所述第一鈍化層具有容納源極、漏極、數據線和歐姆層的凹槽，以及連接源極和透明電極的通孔。

8.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成柵極的圖形和柵線的圖形的步驟之后，該方法進一步包括：

通過一次構圖工藝形成覆蓋基板的第二鈍化層的圖形，所述第二鈍化層具有信號引導區過孔。

9.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述透明電極的圖形通過濕法刻蝕形成，或者，所述透明電極的圖形與光電二極管的圖形同時通過干法刻蝕形成。

10.如權利要求6~9任一項所述的制造方法，其特征在于，所述光電二極管為PIN型光電二極管，所述形成偏壓電極的圖形、偏壓電極引腳的圖形、光電二極管的圖形，以及透明電極的圖形，通過一次構圖工藝完成，具體包括：

在襯底基板上依次沉積偏壓電極金屬、N型半導體層、I型半導體層、P型半導體層和透明電極層，并在透明電極層之上涂覆光刻膠；

采用具有全透光區、半透光區和不透光區的掩模板對基板進行曝光，其中，不透光區對應形成偏壓電極、PIN型光電二極管和透明電極的區域；半透光區對應形成偏壓電極引腳的區域；

對基板進行顯影、刻蝕，形成偏壓電極的圖形、光電二極管的圖形和透明電極的圖形；

對基板進行灰化、刻蝕和光刻膠剝離，形成偏壓電極引腳的圖形。