[發(fā)明專利]制造包括位于支撐襯底上的功能化層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210262813.9
• 申請(qǐng)日: 2012-07-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102903610A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 約努茨·拉杜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索泰克公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種制造包括位于支撐襯底（3）上的第一功能化層（4）的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（1）的工藝，所述工藝包括以下步驟：

（a）在源襯底（2）中注入離子物質(zhì)，所述源襯底（2）包括：

-所述第一功能化層（4），所述第一功能化層（4）包括位于表面的第一金屬導(dǎo)電電極（7a），

-犧牲緩沖層（5），該犧牲緩沖層（5）相對(duì)于注入方向位于所述第一功能化層（4）下面，

所述離子物質(zhì)被以限制所述源襯底（2）的上部（20）的厚度的深度注入，所述上部（20）包括所述犧牲緩沖層（5）的至少一部分、所述第一金屬導(dǎo)電電極（7a）和所述第一功能化層（4），

（b）提供包括第二功能化層（6）的支撐襯底（3），所述第二功能化層（6）包括位于表面的第二金屬導(dǎo)電電極（7b）；

（c）將所述源襯底（2）接合到所述支撐襯底（3），所述第一金屬電極（7a）和所述第二金屬電極（7b）位于接合界面（203）；

（d）使所述源襯底（2）破裂并且將所述源襯底（2）的所述上部（20）從所述源襯底（2）傳遞到所述支撐襯底（3）；

（e）通過(guò)相對(duì)于所述功能化層（4）的選擇性蝕刻去除所述犧牲緩沖層（5）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中，所述犧牲緩沖層（5）包括用于限定注入物質(zhì)的層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝，其中，所述限定區(qū)域是所述犧牲緩沖層（5）的摻雜了硼的區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的工藝，其中，所述犧牲緩沖層（5）的厚度在10nm到1μm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的工藝，其中，所述犧牲緩沖層（5）由二氧化硅制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的工藝，其中，所述犧牲緩沖層（5）的選擇性蝕刻是利用酸的濕法化學(xué)蝕刻，具體地，是利用氫氟酸的濕法化學(xué)蝕刻。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的工藝，其中，還應(yīng)用了用于修補(bǔ)傳遞的第一功能化層（4）的缺陷的熱處理，所述熱處理以低于使所述第一功能化層（4）或者所述支撐襯底損壞的熱預(yù)算或更高熱預(yù)算的熱預(yù)算進(jìn)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的工藝，其中，所述接合步驟（c）包括以200℃到500℃之間的溫度進(jìn)行穩(wěn)定退火。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的工藝，其中，所述第一金屬電極（7a）和所述第二金屬電極（7b）由選自鎢、鈦、鉑、鈷、鎳和鈀的金屬制成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的工藝，其特征在于，所述犧牲緩沖層（5）由相對(duì)于所述第一功能化層（4）的材料能夠進(jìn)行選擇性蝕刻的材料制成。