[發明專利]太陽能電池

有效

• 申請號: 201210262809.2
• 申請日: 2012-07-26
• 公開（公告）號: CN102903768A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 梁周弘;金真阿;南正范;梁斗煥;鄭寅道;鄭一炯;權亨振
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/0216
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種太陽能電池，所述太陽能電池包括：

第一導電類型的襯底；

與所述第一導電類型相反的第二導電類型的發射極區，該發射極區與所述襯底一起地形成p-n結；

位于所述發射極區上的抗反射層；

電連接到所述發射極區的前電極部；和

電連接到所述襯底的背電極部；

其中，所述襯底包括由單晶硅形成的第一區域和由多晶硅形成的第二區域，并且

其中，位于所述第一區域中的所述抗反射層的厚度小于位于所述第二區域中的所述抗反射層的厚度。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，位于所述第一區域中的所述抗反射層的厚度為位于所述第二區域中的所述抗反射層的厚度的大約60%到80%。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，在所述第一區域中的所述襯底的入射表面包括每一個均具有角錐形狀的多個不平坦部分，并且在所述第二區域中的所述襯底的入射表面不包括具有角錐形狀的不平坦部分。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池，其中，在所述襯底的所述第一區域中的角錐形狀的所述多個不平坦部分的上頂點之間的距離等于或小于大約3μm，并且角錐形狀的所述多個不平坦部分中的每一個的高度等于或小于大約4μm。

5.根據權利要求3所述的太陽能電池，其中，在所述襯底的所述第一區域中的所述發射極區的入射表面包括每一個均具有角錐形狀的多個不平坦部分，并且在所述襯底的所述第二區域中的所述發射極區的入射表面不包括具有角錐形狀的不平坦部分。

6.根據權利要求5所述的太陽能電池，其中，在所述襯底的所述第一區域中的所述發射極區的厚度基本上等于在所述襯底的所述第二區域中的所述發射極區的厚度。

7.根據權利要求3所述的太陽能電池，其中，在所述襯底的所述第一區域中的所述抗反射層的入射表面包括每一個均具有角錐形狀的多個不平坦部分，并且在所述襯底的所述第二區域中的所述抗反射層的入射表面不包括具有角錐形狀的不平坦部分。

8.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，在所述第一區域中的所述抗反射層具有大約70nm到110nm的厚度，并且在所述第二區域中的所述抗反射層具有大約100nm到140nm的厚度。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述抗反射層包括第一抗反射層和第二抗反射層，所述第一抗反射層直接位于所述發射極區上，并且所述第二抗反射層直接位于所述第一抗反射層上。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池，其中，在所述第一區域中的所述第一抗反射層的厚度為大約30nm到50nm，并且在所述第一區域中的所述第二抗反射層的厚度為大約40nm到60nm并且大于在所述第一區域中的所述第一抗反射層的厚度。

11.根據權利要求9所述的太陽能電池，其中，在所述第二區域中的所述第一抗反射層的厚度為大約40nm到60nm，并且在所述第二區域中的所述第二抗反射層的厚度為大約60nm到80nm。

12.根據權利要求9所述的太陽能電池，其中，在所述第一區域中的所述第一抗反射層的折射率基本上等于在所述第二區域中的所述第一抗反射層的折射率，并且在所述第一區域中的所述第二抗反射層的折射率基本上等于在所述第二區域中的所述第二抗反射層的折射率。

13.根據權利要求12所述的太陽能電池，其中，所述第一抗反射層的折射率大于所述第二抗反射層的折射率。

14.根據權利要求13所述的太陽能電池，其中，所述第一抗反射層的折射率為大約2.1到2.3，并且所述第二抗反射層的折射率為大約1.75到1.9。

15.根據權利要求9所述的太陽能電池，其中，所述第一抗反射層和所述第二抗反射層由氮化硅形成。

16.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述抗反射層由氮化硅形成。

17.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述襯底的所述第二區域比所述襯底的所述第一區域更加平滑。

18.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，位于所述襯底的所述第二區域中的所述發射極區的入射表面比位于所述襯底的所述第一區域中的所述發射極區的入射表面更加平滑。