[發明專利]藍寶石單晶生長裝置無效
| 申請號： | 201210262668.4 | 申請日： | 2012-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN102899717A | 公開（公告）日： | 2013-01-30 |
| 發明（設計）人： | 郭晚錫;金大淵 | 申請（專利權）人： | 株式會社KCC |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 謝順星;張晶 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 藍寶石 生長 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種藍寶石單晶生長裝置，其為在氧化鋁熔液中接觸晶種后使其上升，從而使藍寶石單晶生長的藍寶石單晶生長裝置，其特征在于，所述藍寶石單晶生長裝置包括：
第一腔室，其容納氧化鋁，所述氧化鋁在其中熔融，所述第一腔室的上面形成有插入口；
第二腔室，其設置在所述第一腔室的上部，以與所述第一腔室的插入口接通；
晶種桿，其通過所述第二腔室下降至所述第一腔室內，或從所述第一腔室上升，所述晶種桿的終端設置有所述晶種；以及
腔室阻隔部，其設置在所述第二腔室的下端，開閉所述插入口；
為了替換所述晶種，當所述晶種桿的終端上升并位于所述第二腔室的內部時，所述腔室阻隔部關閉所述插入口。
2.如權利要求1所述的藍寶石單晶生長裝置，其特征在于，所述第一腔室包括：
坩堝收容容器，其位于所述第一腔室的內部；
坩堝，其位于所述坩堝收容容器的內部并裝有所述氧化鋁；以及
加熱部，其被配置為包圍所述坩堝收容容器，并使所述氧化鋁熔融而形成所述氧化鋁熔液。
3.如權利要求1所述的藍寶石單晶生長裝置，其特征在于，所述第二腔室包括氣體管線，所述氣體管線從所述第二腔室的外周面延長，并向所述第二腔室的內部注入可控氣氛。
4.如權利要求2所述的藍寶石單晶生長裝置，其特征在于，所述坩堝收容容器由隔熱材料構成。
5.如權利要求2所述的藍寶石單晶生長裝置，其特征在于，所述加熱部為高頻線圈。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社KCC，未經株式會社KCC許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210262668.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：多功能板管切割平臺
- 下一篇：一種單項夾梁激光刀模切割機
