[發(fā)明專利]具有提高的魯棒性的垂直晶體管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210262659.5
• 申請日: 2012-07-26
• 公開（公告）號: CN102903754A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邁克爾·阿薩姆;賴納德·桑德爾;馬蒂亞斯·斯特徹;馬庫斯·溫克勒
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種晶體管，包括：

半導(dǎo)體本體，具有第一水平表面；

漂移區(qū)，被設(shè)置在所述半導(dǎo)體本體中；

多個柵電極，被設(shè)置在所述半導(dǎo)體本體的溝道中，所述溝道具有縱向方向并且相對于彼此平行延伸，所述溝道的所述縱向方向在所述半導(dǎo)體本體的第一橫向方向上延伸；

體區(qū)，被設(shè)置在所述溝道之間；以及

源區(qū)，被設(shè)置在所述溝道之間，

其中，所述體區(qū)在所述半導(dǎo)體本體的豎直方向上被設(shè)置在所述漂移區(qū)和所述源區(qū)之間，

其中，在所述第一水平表面中，所述源區(qū)和所述體區(qū)在所述第一橫向方向上被交替設(shè)置，以及

其中，源電極被電連接到所述第一水平表面中的所述源區(qū)和所述體區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，還包括：

柵極電介質(zhì)，將所述柵電極與所述半導(dǎo)體本體之間介質(zhì)隔離；以及

漏區(qū)，其中，所述漂移區(qū)被設(shè)置在所述漏區(qū)和所述體區(qū)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，

其中，所述源區(qū)在第二橫向方向上延伸，每個源區(qū)均被柵電極隔斷，以及

其中，所述第一橫向方向和所述第二橫向方向之間的角度在45°和90°之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管，其中，所述第一橫向方向和所述第二橫向方向之間的角度在80°和90°之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，

其中，所述源區(qū)在所述第一水平表面中具有第一表面區(qū)域，所述體區(qū)在所述第一水平表面中具有第二表面區(qū)域，以及

其中，所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域之間的比率在10:1和1:10之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體管，其中，所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域之間的比率在10:1和1:1之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管，其中，在所述第二橫向方向上的兩個相鄰源區(qū)之間的距離在1μm和10μm之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，在垂直于所述第一橫向方向的方向上兩個相鄰柵電極之間的相互距離在1μm和10μm之間。

9.一種晶體管，包括：

半導(dǎo)體本體，具有第一水平表面；

漂移區(qū)，被設(shè)置在所述半導(dǎo)體本體中；

多個柵電極，被設(shè)置在所述半導(dǎo)體本體的溝道中，所述溝道具有縱向方向并且相對于彼此平行延伸，所述溝道的所述縱向方向在所述半導(dǎo)體本體的第一橫向方向上延伸；

體區(qū)，被設(shè)置在所述溝道之間；以及

源區(qū)，被設(shè)置在所述溝道之間，其中

所述源區(qū)延伸到所述第一水平表面并形成源區(qū)域，所述源區(qū)域被所述柵電極劃分為所述源區(qū)，其中，所述第一水平表面中的所述源區(qū)域被體區(qū)域所包圍，所述體區(qū)域包括延伸到所述第一水平表面的多個體區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管，還包括：

柵極電介質(zhì)，將所述柵極與所述半導(dǎo)體本體之間介質(zhì)隔離；以及

漏區(qū)，其中，所述漂移區(qū)被設(shè)置在所述漏區(qū)和所述體區(qū)之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管，其中，所述源區(qū)域具有矩形、圓形或多邊形幾何形狀。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管，其中，所述源區(qū)域是彼此間隔設(shè)置的多個源區(qū)域中的一個。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管，

其中，所述源區(qū)域在所述第一水平表面中具有第一表面區(qū)域，所述體區(qū)在所述第一水平表面中具有第二表面區(qū)域，以及

其中，所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域之間的比率在10:1和1:10之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶體管，其中，所述比率在10:1和1:1之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管，其中，兩個相鄰柵電極之間的距離在1μm和10μm之間。