[發(fā)明專(zhuān)利]一種傳感器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210262535.7
• 申請(qǐng)日: 2012-07-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102790060A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐少穎;謝振宇;陳旭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種傳感器，其特征在于，包括：襯底基板、呈交叉排列的一組柵線(xiàn)和一組數(shù)據(jù)線(xiàn)、由所述一組柵線(xiàn)和一組數(shù)據(jù)線(xiàn)所界定的多個(gè)呈陣列狀排布的感測(cè)單元，及貫穿每一個(gè)感測(cè)單元的一組偏壓線(xiàn)，每個(gè)感測(cè)單元包括至少一個(gè)由薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器件組成的感測(cè)子單元，其中，

所述薄膜晶體管器件包括：位于襯底基板之上并與相鄰的柵線(xiàn)連接的柵極；位于柵極之上并覆蓋基板的柵極絕緣層；位于柵極絕緣層之上、柵極上方的有源層；位于有源層之上的歐姆層；位于歐姆層之上并相對(duì)而置形成溝道的源極和漏極，所述漏極與相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)連接；

所述光電二極管傳感器件包括：與源極連接的接收電極、位于接收電極之上的光電二極管、位于光電二極管之上的透明電極，以及位于透明電極之上的偏壓電極，所述偏壓電極與相鄰的偏壓線(xiàn)連接。

2.如權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述一組柵線(xiàn)，包括兩根單柵線(xiàn)，以及位于兩根單柵線(xiàn)之間的多組雙柵線(xiàn)，則

所述每個(gè)感測(cè)單元包括兩個(gè)感測(cè)子單元，兩個(gè)感測(cè)子單元的薄膜晶體管器件呈對(duì)角分布，且薄膜晶體管器件的柵極與相鄰的單柵線(xiàn)或者相鄰的雙柵線(xiàn)中距離較近的一根連接。

3.如權(quán)利要求2所述的傳感器，其特征在于，所述偏壓線(xiàn)位于感測(cè)單元的兩個(gè)感測(cè)子單元之間，與兩個(gè)感測(cè)子單元的偏壓電極交叉相連。

4.如權(quán)利要求1至3任一所述的傳感器，其特征在于，還包括：

在每條數(shù)據(jù)線(xiàn)和每個(gè)光電二極管傳感器件的接收電極的下方，依次位于柵極絕緣層之上的有源材料層和歐姆材料層；

位于一組數(shù)據(jù)線(xiàn)和每個(gè)薄膜晶體管器件的源極和漏極之上的光電二極管材料層、位于光電二極管材料層之上的透明電極材料層；

位于透明電極材料層和透明電極之上的第一鈍化層，所述第一鈍化層未覆蓋偏壓電極和偏壓線(xiàn)；

位于第一鈍化層之上，并位于源極、漏極及溝道上方的擋光條；

位于擋光條之上并覆蓋基板的第二鈍化層，所述第二鈍化層具有信號(hào)引導(dǎo)區(qū)過(guò)孔。

5.如權(quán)利要求4所述的傳感器，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極和接收電極的材質(zhì)相同；所述擋光條、偏壓電極和偏壓線(xiàn)的材質(zhì)相同；所述光電二極管材料層、透明電極材料層、有源材料層和歐姆材料層分別與光電二極管、透明電極、有源層和歐姆層的材質(zhì)相同。

6.如權(quán)利要求4所述的傳感器，其特征在于，所述光電二極管為PIN型光電二極管，包括：位于接收電極之上的N型半導(dǎo)體，位于N型半導(dǎo)體之上的I型半導(dǎo)體，以及位于I型半導(dǎo)體之上的P型半導(dǎo)體。

7.一種傳感器的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵線(xiàn)的圖形、與柵線(xiàn)連接的柵極的圖形；

形成覆蓋基板的柵極絕緣層，并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成位于柵極上方的有源層的圖形、位于有源層之上的歐姆層的圖形、位于歐姆層之上并相對(duì)而置形成溝道的源極和漏極的圖形、與漏極連接的數(shù)據(jù)線(xiàn)的圖形、與源極連接的接收電極的圖形、位于接收電極之上的光電二極管的圖形、位于光電二極管之上的透明電極的圖形；

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成第一鈍化層的圖形，所述第一鈍化層未覆蓋形成偏壓電極和偏壓線(xiàn)的區(qū)域；

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成位于透明電極之上的偏壓電極的圖形、與偏壓電極連接的偏壓線(xiàn)的圖形，以及位于源極、漏極及溝道上方的擋光條的圖形。

8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，在形成偏壓電極的圖形、偏壓線(xiàn)的圖形和擋光條的圖形之后，進(jìn)一步包括：

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成覆蓋基板的第二鈍化層的圖形，所述第二鈍化層具有信號(hào)引導(dǎo)區(qū)過(guò)孔。

9.如權(quán)利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述光電二極管為PIN型光電二極管，包括N型半導(dǎo)體、I型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體；所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極、漏極和接收電極的材質(zhì)相同；所述擋光條、偏壓電極和偏壓線(xiàn)的材質(zhì)相同。