[發明專利]一種EEPROM存儲單元的制造方法

有效

• 申請號: 201210262379.4
• 申請日: 2012-07-27
• 公開（公告）號: CN103579119A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 隋建國;徐丹;左燕麗
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王江富

1.一種EEPROM存儲單元的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

一.在P型硅襯底上形成場氧；

二.在場氧間的P型硅襯底上生長一層高壓氧化層；

三．通過光刻膠在高壓氧化層上定義隧道區窗口；

四.在定義的隧道區窗口下的P型硅襯底注入N型離子；

五.濕法刻蝕，去除遂道區窗口的高壓氧化層；

六.去除光刻膠，在硅片上生長遂道氧化層；

七.進行離子活化，隧道區窗口周邊的P型硅襯底形成遂道區；

八.在遂道氧化層上形成多晶硅浮柵，多晶硅浮柵位于遂道區窗口到遂道區左側的P型硅襯底上方；

九.在多晶硅浮柵上面及側面形成控制柵介質層；

十.在硅片上依次淀積控制柵多晶硅層、WSi層；

十一.光刻刻蝕后進行N型離子注入，形成存儲晶體管的源區、擴散區、選擇晶體管的漏區；存儲晶體管的源區形成在控制柵介質層左側的P型硅襯底中并與遂道區隔離，擴散區形成在控制柵介質層右側的P型硅襯底中并與隧道區右部連通；

十二.進行后續工藝，形成EEPROM存儲單元。

2.根據權利要求1所述的一種EEPROM存儲單元的制造方法，其特征在于，

所述高壓氧化層的厚度在290埃到310埃之間。

3.根據權利要求1所述的一種EEPROM存儲單元的制造方法，其特征在于，

步驟四中，注入N型離子為As，注入能量為70Kev到90Kev，注入劑量為2E14到3E14個原子每平方厘米。

4.根據權利要求1所述的一種EEPROM存儲單元的制造方法，其特征在于，

步驟四中，注入N型離子為P，注入能量為50Kev到70Kev，注入劑量為6E14到8E14個原子每平方厘米。

5.根據權利要求1所述的一種EEPROM存儲單元的制造方法，其特征在于，

步驟六中，在遂道區窗口處生長的遂道氧化層厚度為80埃到86埃。

6.根據權利要求1所述的一種EEPROM存儲單元的制造方法，其特征在于，

步驟七中，離子活化的溫度為1000攝氏度，時間為50分鐘。

7.根據權利要求1所述的一種EEPROM存儲單元的制造方法，其特征在于，

步驟八中，多晶硅浮柵的厚度為1450埃到1550埃。

8.根據權利要求1所述的一種EEPROM存儲單元的制造方法，其特征在于，步驟九中，控制柵介質層為0N0結構。

9.根據權利要求1所述的一種EEPROM存儲單元的制造方法，其特征在于，步驟十中，控制柵多晶硅層的厚度為1500埃，WSi層的厚度約為1500埃。