[發(fā)明專利]電容結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210261994.3
• 申請日: 2012-07-26
• 公開（公告）號: CN102751177A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙波;劉瑋蓀;林益海
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/522
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種電容結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有底部絕緣層；

在所述底部絕緣層上沉積第一金屬層；

刻蝕所述第一金屬層，形成第一電極；

形成覆蓋所述第一電極的電容介質(zhì)層；

在所述電容介質(zhì)層上形成第二金屬層，所述第二金屬層的厚度大于第一金屬層的厚度；

刻蝕所述第二金屬層，形成第二電極，所述第二電極、電容介質(zhì)層和第一電極構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度范圍為500~2000埃。

3.如權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第二金屬層的厚度范圍為8000~20000埃。

4.如權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層利用沉積工藝制作。

5.如權(quán)利要求4所述的電容結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層利用物理氣相沉積工藝制作。

6.如權(quán)利要求4所述的電容結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第二金屬層利用物理氣相沉積工藝或濺射工藝制作。

7.如權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述底部絕緣層的材質(zhì)為氧化硅。

8.如權(quán)利要求1或7所述的電容結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述底部絕緣層的厚度范圍為2000~15000埃。

9.如權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述電容介質(zhì)層的材質(zhì)為氮化硅，其厚度范圍為200~1000埃。

10.如權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層的材質(zhì)為TiN。

11.如權(quán)利要求1所述的電容結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第二金屬層的材質(zhì)為鋁。

12.一種電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有底部絕緣層；

第一電極，形成于所述底部絕緣層上；

電容介質(zhì)層，覆蓋所述第一電極；

第二電極，所述第二電極的厚度大于第一電極的厚度，所述第二電極、電容介質(zhì)層和第一電極構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)。

13.如權(quán)利要求12所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極的厚度范圍為500~2000埃。

14.如權(quán)利要求12所述的電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電極的厚度范圍為8000~20000埃。