[發(fā)明專利]形成淺溝槽隔離區(qū)的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210261968.0
• 申請(qǐng)日: 2012-07-26
• 公開（公告）號(hào): CN103579076A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周鳴;平延磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種形成淺溝槽隔離區(qū)的方法，所述淺溝槽隔離區(qū)在高介電常數(shù)柵氧化層之前形成，該方法包括：

在半導(dǎo)體襯底上依次形成隔離氧化層和氮化硅層；

依次刻蝕氮化硅層、隔離氧化層及半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成溝槽；

在所述溝槽內(nèi)部表面生長(zhǎng)一層襯墊氧化硅；

在溝槽內(nèi)進(jìn)行氧化物的填充及拋光，形成淺溝槽隔離區(qū)，并去除所述氮化硅層；

其特征在于，在溝槽內(nèi)進(jìn)行氧化物的填充采用常壓化學(xué)氣相沉積APCVD形成氧化硅層和增加氧化硅層密度相結(jié)合的方法，多次循環(huán)進(jìn)行。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，增加氧化硅層密度的方法包括：在沉積反應(yīng)腔內(nèi)通入氮?dú)猓蛘吆碱悮怏w，或者氬氣，或者三種氣體的任意組合。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在沉積反應(yīng)腔內(nèi)通入每種氣體的時(shí)間為5～25秒。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，通入氣體時(shí)，沉積反應(yīng)腔功率為50～500瓦。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，沉積反應(yīng)腔內(nèi)通入每種氣體的流量為50～1000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，常壓化學(xué)氣相沉積采用正硅酸乙酯和臭氧反應(yīng)形成氧化硅。