[發明專利]內匹配的高頻大功率晶體管

無效

• 申請號: 201210260517.5
• 申請日: 2012-07-25
• 公開（公告）號: CN102769441A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 戈勤;鄭英奎;彭銘曾;劉新宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H03H7/38
• 分類號: H03H7/38;H01L29/772
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

1.一種內匹配的高頻大功率晶體管，包括晶體管(14)、輸入匹配網絡、輸出匹配網絡和穩定網絡；其特征在于，所述穩定網絡由電阻(3)、電容(6)、第一電感(7)和第二電感(8)串聯構成，所述穩定網絡兩端分別與所述晶體管(14)的柵極(9)和漏極(10)相連。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述穩定網絡與所述晶體管(14)一起裝配在封裝管殼中間的載臺(1)上。

3.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述電容(6)、電阻(3)及其兩個電極形成在基片(2)上。

4.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述電容(6)的下極板與電阻(3)的第一電極(4)相連，所述第一電極(4)的尺寸大于電容(6)的下極板的尺寸。

5.根據權利要求2或3所述的晶體管，其中，所述載臺(1)的寬度大于所述晶體管(14)和基片(2)兩者寬度的較大值。

6.根據權利要求3所述的晶體管，其中，所述電阻(3)為多晶硅薄膜，所述電極的材料為金屬，所述基片(2)的材料為氧化鋁陶瓷。

7.根據權利要求1或2所述的晶體管，其中，所述晶體管(14)在沿載臺(1)的縱向上具有多個柵極焊盤，并且在靠近穩定網絡的位置引出一個柵極焊盤。

8.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述電阻(3)的第二電極(5)經第二電感(8)與所述晶體管(14)的柵極(9)相連，所述電容(6)的上極板經第一電感(7)與所述晶體管(14)的漏極(10)相連。

9.根據權利要求1或8所述的晶體管，其中，所述第一電感(7)和第二電感(8)為鍵合線，由其電感值決定其長度和數量。

10.根據權利要求2所述的晶體管，其中，所述輸入匹配網絡和輸出匹配網絡裝配在載臺(1)兩側，所述輸入匹配網絡經第三電感(12)和第四電感(13)與所述晶體管(14)的柵極(9)相連，所述輸出匹配網絡經第五電感(11)與所述晶體管(14)的漏極(10)相連。

11.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述第三電感(12)、第四電感(13)和第五電感(11)為鍵合線，所述第三電感(12)和所述第四電感(13)是所述輸入匹配網絡的一部分，所述第五電感(11)是所述輸出匹配網絡的一部分。