[發(fā)明專利]導(dǎo)電電極層開口式電控調(diào)光介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210260287.2 | 申請日: | 2012-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN103576353A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于濤;孫剛;陳月菊;尹環(huán) | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州漢朗光電有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/133 | 分類號: | G02F1/133;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人: | 滿靖 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電 電極 開口 式電控 調(diào)光 介質(zhì) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電控調(diào)光介質(zhì),尤指一種導(dǎo)電電極層設(shè)計(jì)有開口的電控調(diào)光介質(zhì)。
背景技術(shù)
近晶態(tài)液晶,又可稱為近晶相液晶,具有光學(xué)各向異性、多穩(wěn)態(tài)等特性,可以作為電控調(diào)光介質(zhì)中的液晶材料,參見專利號為ZL?200710175959.9的中國發(fā)明專利“一種電控調(diào)光介質(zhì)”中公開的內(nèi)容。
在上述中國發(fā)明專利“一種電控調(diào)光介質(zhì)”中,如圖1所示,該電控調(diào)光介質(zhì)包括兩個基體層1、2,在該兩個基體層1、2中間設(shè)有一個混合層3,該混合層3由近晶態(tài)液晶和添加物混合而成,在該兩個基體層1、2朝向混合層3的一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電電極層4,該導(dǎo)電電極層4與電路驅(qū)動控制裝置5連接。進(jìn)一步地,該導(dǎo)電電極層4可按顯示圖案或文字的需要而分割成若干單元。
實(shí)際使用中,該電控調(diào)光介質(zhì)通過電路驅(qū)動控制裝置5向?qū)щ婋姌O層4施加電信號,近晶態(tài)液晶分子31可呈現(xiàn)出不同的排列形態(tài),且這些排列狀態(tài)在無電的情況下保持穩(wěn)定不變,從而該電控調(diào)光介質(zhì)可在霧狀遮光與全透明狀態(tài)間切換,甚至在不同灰度階的多種漸進(jìn)狀態(tài)間切換。這種電控調(diào)光介質(zhì)可以廣泛應(yīng)用于建筑裝飾裝修、私密性控制區(qū)域、汽車電子和電子公告牌等領(lǐng)域。
舉例來說,在兩個該導(dǎo)電電極層4上施加100v、1000Hz左右高頻交流電壓,如圖2,混合層3中的近晶態(tài)液晶分子31變?yōu)橐?guī)則排列形態(tài),此時,近晶態(tài)液晶分子31的長軸垂直于導(dǎo)電電極層平面,入射各近晶態(tài)液晶分子31的光線的折射不產(chǎn)生劇烈變化,入射光線可自由透過混合層3,從宏觀上看,該電控調(diào)光介質(zhì)呈現(xiàn)全透明狀態(tài)。如圖3,在兩個該導(dǎo)電電極層4上施加100v、50Hz左右低頻交流電壓,混合層3中的添加物分子32在電場作用下產(chǎn)生往復(fù)運(yùn)動,這種運(yùn)動使近晶態(tài)液晶分子31發(fā)生扭轉(zhuǎn),形成亂序排列形態(tài),因近晶態(tài)液晶分子31的各向異性,使入射各近晶態(tài)液晶分子31的光線的折射存在很大差異,即在微薄厚度的混合層3內(nèi),光折射率產(chǎn)生劇烈變化,入射光線發(fā)生強(qiáng)烈的散射,從宏觀上看,該電控調(diào)光介質(zhì)呈現(xiàn)霧狀遮光狀態(tài)。
但是,在實(shí)際制作電控調(diào)光介質(zhì)時,如圖1所示,基體層1、2的面積要比導(dǎo)電電極層4的面積略大,兩個該導(dǎo)電電極層4之間產(chǎn)生的電場的外邊界處的電力線6產(chǎn)生彎曲,如圖2中標(biāo)號6標(biāo)示的粗虛線箭頭所示,因此,在彎曲的電力線6附近的近晶態(tài)液晶分子31會順著電力線彎曲的方向發(fā)生一定的傾斜,如圖2,與呈豎直狀的近晶態(tài)液晶分子31所在區(qū)域的電阻率相比,呈傾斜狀的近晶態(tài)液晶分子31會使其所在區(qū)域的電阻率降低。因此,當(dāng)兩個導(dǎo)電電極層4上施加低頻交流驅(qū)動電壓信號(如100v、50Hz左右低頻交流電壓)時,處于電場內(nèi)、外邊界附近的近晶態(tài)液晶分子31會優(yōu)先發(fā)生從規(guī)則排列形態(tài)向亂序排列形態(tài)的扭轉(zhuǎn),也就是說,當(dāng)上述電信號施加后,從電場外邊界到電場內(nèi)部的近晶態(tài)液晶分子31是先后陸續(xù)發(fā)生扭轉(zhuǎn)的。需要提及的是,電場的外邊界外也存在極少量的近晶態(tài)液晶分子,這些近晶態(tài)液晶分子因無電場作用而不發(fā)生形態(tài)變化,但這些近晶態(tài)液晶分子因數(shù)量極少,因而不會影響到介質(zhì)的顯示效果。
那么,當(dāng)兩個導(dǎo)電電極層4上施加的低頻交流驅(qū)動電壓信號存在電壓不足或驅(qū)動時間不夠時,近晶態(tài)液晶分子31從規(guī)則排列形態(tài)向亂序排列形態(tài)變化的過程中,便會出現(xiàn)混合層3中部(即電場中部)呈規(guī)則排列形態(tài)的近晶態(tài)液晶分子31未完全轉(zhuǎn)變?yōu)閬y序排列形態(tài)的情況,從宏觀上看,電控調(diào)光介質(zhì)表現(xiàn)為霧狀遮光狀態(tài)存在殘影,介質(zhì)中心遮光不足,整體遮光不均勻。換句話說,該電控調(diào)光介質(zhì)需以長時間、高電壓驅(qū)動來克服殘影缺陷,但長時間、高電壓又給電控調(diào)光介質(zhì)帶來了費(fèi)電、驅(qū)動時間過長、使用不便捷等問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種導(dǎo)電電極層開口式電控調(diào)光介質(zhì),該電控調(diào)光介質(zhì)在呈現(xiàn)霧狀遮光狀態(tài)時不會出現(xiàn)殘影,整個介質(zhì)遮光均勻,顯示圖像效果好。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案:
一種導(dǎo)電電極層開口式電控調(diào)光介質(zhì),它包括兩個基體層,在該兩個基體層中間設(shè)有一個混合層,該混合層由近晶態(tài)液晶和添加物混合而成,在每個該基體層朝向該混合層的一側(cè)設(shè)有一個導(dǎo)電電極層,每個該導(dǎo)電電極層均與電路驅(qū)動控制裝置連接,其特征在于:在兩個該導(dǎo)電電極層中的至少一個該導(dǎo)電電極層上設(shè)有開口。
若在兩個所述導(dǎo)電電極層上均設(shè)有所述開口,則從垂直于所述導(dǎo)電電極層平面的方向看去,兩個所述導(dǎo)電電極層的所述開口相交疊的面積不超過每個所述導(dǎo)電電極層上所述開口的總面積的10%。
每個所述導(dǎo)電電極層分割成相應(yīng)的若干單元。
所述開口處于所述導(dǎo)電電極層內(nèi)部或與所述導(dǎo)電電極層邊緣相交。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
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