[發明專利]半導體裝置及形成半導體結構的方法

無效

• 申請號: 201210260017.1
• 申請日: 2012-07-25
• 公開（公告）號: CN103579086A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 裘元杰
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/762
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置，特別是涉及一種改善孔洞結構的方法與結構。?

背景技術

與制造可靠的集成電路相關的一個非常重要的因素是必須準確地控制形成于集成電路單獨結構中的輪廓。這樣的結構可以是接觸窗孔洞。導電材料然后可以被沉積于此孔洞結構內以提供此集成電路中介于水平層次間的垂直導電路徑。集成電路中可以包含許多層次，且使用接觸窗與介層孔在層次之間來產生介于相鄰層次間的電性通訊。傳統的集成電路需要成千上萬個具有精確且均勻寬度或臨界尺寸的接觸孔洞。?

將集成電路的尺寸縮小時會導致在此孔洞結構中所允許的臨界尺寸也會跟著縮小。因此在一臨界尺寸縮小的情況下要形成孔洞結構就會因為層次間對準的問題而變得更困難。此外，在高深寬比的孔洞結構(具有較陡斜率側壁的小孔洞)內填入導電材料以及均勻地將導電材料填入其中也會變得更困難。?

由此可見，上述現有的半導體裝置及形成半導體結構的方法在產品結構、方法及使用上,顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發展完成，而一般產品及方法又沒有適切的結構及方法能夠解決上述問題，此顯然是相關業者急欲解決的問題。因此如何能創設一種新的半導體裝置及形成半導體結構的方法，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前業界極需改進的目標。?

發明內容

本發明的目的在于，克服現有的半導體裝置及形成半導體結構的方法存在的缺陷，而提供一種新的半導體裝置及形成半導體結構的方法，所要解決的技術問題是使其可以形成具有較小臨界尺寸的改良接觸窗孔洞/介層孔結構，非常適于實用。?

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種形成半導體結構的方法，其包括以下步驟：形成一第一層于一基板上。之后，形成且圖案化一掩膜層于該第一層之上。蝕刻部分?通過該第一層。形成一第二層于該第一層之上。以及，藉由非微影工藝蝕刻通過該第一層及該第二層。?

前述的形成半導體結構的方法，其中該蝕刻在該第一層中形成一孔洞；以及該孔洞在遠離該基板的部分的一寬度大于該孔洞在接近該基板的部分的一寬度。?

前述的形成半導體結構的方法，其中該孔洞的一第一側壁包括朝向該孔洞的一中心線傾斜的第一內傾突出部分；該孔洞的一第二側壁包括朝向該孔洞的一中心線傾斜的第二內傾突出部分；以及該第一內傾突出部分的一寬度與該第二內傾突出部分的一寬度相等。?

本發明的目的及解決其技術問題還采用以下技術方案來實現。依據本發明提出的一種半導體裝置,其包含一基板、一第一層、以及一第二層。此第一層形成于該基板上,該第一層中具有一孔洞部分延伸通過該第一層。此第二層形成于該基板以及該第一層中的一孔洞側壁上，且該第二層具有一厚度小于該孔洞寬度的一半。?

本發明的目的及解決其技術問題另外再采用以下技術方案來實現。依據本發明提出的一種半導體裝置，其包含一基板、一第一層、以及一第二層。此第一層形成于該基板上，該第一層中具有一孔洞部分延伸通過該第一層。該孔洞具有一第一部分較遠離該基板，且延伸通過該第一層的部分具有一第一寬度。該孔洞具有一第二部分自該第一部分延伸朝向該基板,且延伸通過該第一層靠近該基板的部分具有一第二寬度。以及該第二寬度小于該第一寬度。?

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。?

前述的半導體裝置，其中該孔洞的一側壁包括朝向該孔洞的一中心線傾斜的內傾突出部分。?

前述的半導體裝置，其中該基板包括一底層結構；以及該孔洞在接近該基板的部分該寬度是小于該底層結構靠近該第一層的部分的一寬度。?

前述的半導體裝置，其中該基板包括至少兩個底層結構；以及該孔洞的該第二部分蝕刻通過該第一層及進入該兩個底層結構之間的該基板。?

本發明的目的及解決其技術問題另外還采用以下技術方案來實現。依據本發明提出的一種半導體裝置，其包含：一底層結構具有一頂表面及一頂尺寸；以及一孔洞結構具有一階梯狀及一底尺寸，其中該孔洞的該底尺寸小于該底層結構的該頂尺寸。

本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。?

前述的半導體裝置，其中該孔洞結構是垂直地對稱。?

本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。借由上述技術方案，本發明半導體裝置及形成半導體結構的方法至少具有下列優點及有益?效果：本發明可以形成具有較小臨界尺寸的改良接觸窗孔洞/介層孔結構。?