[發明專利]應用于離子遷移譜探測儀的半導體加熱離子遷移管結構有效
| 申請號： | 201210259875.4 | 申請日： | 2012-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN102751161A | 公開（公告）日： | 2012-10-24 |
| 發明（設計）人： | 李震宇;陳勇;江洪 | 申請（專利權）人： | 公安部第三研究所 |
| 主分類號： | H01J49/02 | 分類號： | H01J49/02;H05B3/42 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔;鄭暄 |
| 地址： | 200031*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應用于 離子 遷移 探測儀 半導體 加熱 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種應用于離子遷移譜探測儀的半導體加熱離子遷移管結構，所述的離子遷移管結構包括陶瓷絕緣管體和包圍于所述的陶瓷絕緣管體中的管腔，其特征在于，所述的陶瓷絕緣管體外覆蓋有半導體電熱膜。
2.根據權利要求1所述的應用于離子遷移譜探測儀的半導體加熱離子遷移管結構，其特征在于，所述的半導體電熱膜為氧化錫半導體電熱膜。
3.根據權利要求1所述的應用于離子遷移譜探測儀的半導體加熱離子遷移管結構，其特征在于，所述的半導體電熱膜通過熱噴涂工藝噴涂形成于所述的陶瓷絕緣管體外表面。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的應用于離子遷移譜探測儀的半導體加熱離子遷移管結構，其特征在于，所述的陶瓷絕緣管體的兩端還分別設置有兩個金屬環，所述的半導體加熱離子遷移管結構通過所述的兩個金屬環固定連接于所述的離子遷移譜探測儀的結構部件。
5.根據權利要求4所述的應用于離子遷移譜探測儀的半導體加熱離子遷移管結構，其特征在于，所述的兩個金屬環分別焊接固定于所述的陶瓷絕緣管體的兩端。
6.根據權利要求4所述的應用于離子遷移譜探測儀的半導體加熱離子遷移管結構，其特征在于，所述的半導體電熱膜覆蓋于所述的兩個金屬環之間的陶瓷絕緣管體外表面上。
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