[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法和包括該基板的顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210259588.3
• 申請日: 2012-07-25
• 公開（公告）號: CN103579355A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周政旭
• 申請（專利權(quán)）人: 群康科技(深圳)有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/45;H01L21/77
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板包括：

基板；

第一電極層，位于所述基板上，包括柵極部；

第一絕緣層，覆蓋所述第一電極層；

氧化物半導(dǎo)體層，位于所述第一絕緣層上；以及

第二電極層，位于所述氧化物半導(dǎo)體層上，包括源極部及漏極部，所述源極部及所述漏極部位于與所述柵極部相對應(yīng)的兩端；

其中，所述第二電極層的邊緣位于所述氧化物半導(dǎo)體層的邊緣內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層整面覆蓋所述第一絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層包括第二間隔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層為ZnO、IZO、IGZO、ITZO、ATZO、HIZO的其中一種或其組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述第二電極層的材料為單層銅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板還包括蝕刻停止層，所述蝕刻停止層位于所述氧化物半導(dǎo)體層的上方。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第二電極層與所述氧化物半導(dǎo)體層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述第二絕緣層具有接觸孔洞，所述接觸孔洞與所述源極部相對。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述第二絕緣層上具有像素電極層，所述像素電極層經(jīng)由所述接觸孔洞往下延伸而電性連接所述源極部。

10.一種顯示器，其特征在于，所述顯示器包括：

驅(qū)動電路；

外觀件；以及

顯示面板，包括薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板，包括：

基板；

第一電極層，位于所述基板上，包括柵極部；

第一絕緣層，覆蓋所述第一電極層；

氧化物半導(dǎo)體層，位于所述第一絕緣層上；以及

第二電極層，位于所述氧化物半導(dǎo)體層上，包括源極部及漏極部，所述源極部及所述漏極部位于與所述柵極部相對應(yīng)的兩端；

其中，所述第二電極層的邊緣位于所述氧化物半導(dǎo)體層的邊緣內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層整面覆蓋所述第一絕緣層。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層包括第二間隔。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層為ZnO、IZO、IGZO、ITZO、ATZO、HIZO的其中之一或其組合。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述第二電極層的材料為銅。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述薄膜晶體管基板還包括蝕刻停止層，所述蝕刻停止層位于所述氧化物半導(dǎo)體層上。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述薄膜晶體管基板還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第二電極層與所述氧化物半導(dǎo)體層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示器，其特征在于，所述第二絕緣保護層具有接觸孔洞，所述接觸孔洞與所述源極部相對。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示器，其特征在于，所述第二絕緣層上具有像素電極層，所述像素電極層經(jīng)由所述接觸孔洞往下延伸而電性連接所述源極部。