[發明專利]一種晶體管和晶體管陣列有效
| 申請號： | 201210259427.4 | 申請日： | 2012-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN103579490B | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發明（設計）人： | 王中林 | 申請（專利權）人： | 北京納米能源與系統研究所 |
| 主分類號： | H01L41/08 | 分類號： | H01L41/08;H01L27/20 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰濱;南毅寧 |
| 地址： | 100083 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體管 陣列 | ||
1.一種晶體管，其特征在于，包括壓電體、第一電極和第二電極，其中，
所述第一電極和第二電極相對設置在所述壓電體的兩端，所述第二電極用于對所述壓電體施加應變或應力；
所述壓電體的材料在所述應變或應力作用下產生壓電效應；
所述晶體管還包括封裝層，所述壓電體和所述第一電極被封裝在所述封裝層中，以及所述第二電極未被封裝在所述封裝層中，其中所述封裝層采用彈性材料。
2.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述壓電體為壓電薄膜或一維壓電結構，所述第一電極和第二電極的連線平行于所述壓電薄膜的表面或一維壓電材料。
3.根據權利要求2所述的晶體管，其特征在于，所述壓電體為一個或多個平行排列的一維壓電結構，所述第一電極和第二電極相對設置在所述一維壓電結構的兩端。
4.根據權利要求2或3所述的晶體管，其特征在于，所述一維壓電結構包括壓電納米線、納米絲、納米棒、納米柱或納米帶。
5.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管設置在基底上，所述第一電極和第二電極的連線平行于所述基底。
6.根據權利要求5所述的晶體管，其特征在于，所述壓電體為多個平行排列的一維壓電結構，所述一維壓電結構的軸線平行于所述基底表面。
7.根據權利要求5所述的晶體管，其特征在于，所述壓電體為壓電薄膜，所述壓電薄膜平行于所述基底，或者與所述基底之間有一夾角。
8.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述晶體管設置在基底上，所述第一電極和第二電極的連線垂直于所述基底。
9.根據權利要求8所述的晶體管，其特征在于，所述壓電體為一個或多個平行排列的一維壓電結構，所述一維壓電結構的軸線垂直于所述基底表面。
10.根據權利要求8所述的晶體管，其特征在于，所述壓電體為壓電薄膜，所述壓電薄膜表面垂直于所述基底表面。
11.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述壓電體的材料為纖鋅礦結構的材料、閃鋅礦結構的材料、鈮酸鋰結構的材料或具有半導體性能的材料。
12.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述壓電體的材料為ZnO、GaN、CdS、InN、InGaN、CdTe、CdSe或ZnSnO3。
13.根據權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述第一電極和/或第二電極為選自銦錫金屬氧化物、石墨烯或銀納米線膜涂層中的一種，或者金、銀、鉑、鋁、鎳、銅、鈦、烙、硒或其合金中的一種。
14.根據權利要求5或8所述的晶體管，其特征在于，所述基底為硅、氮化鎵、導電金屬板、導電陶瓷或鍍有金屬電極的高分子聚合物材料。
15.一種晶體管陣列，其特征在于，在基底上包括多個晶體管單元，每個所述晶體管單元包括壓電體、第一電極和第二電極，其中，
所述第一電極和第二電極相對設置在所述壓電體的兩端，所述第二電極用于對所述壓電體施加應變或應力；
所述壓電體的材料在所述應變或應力作用下產生壓電效應；以及
所述晶體管單元還包括封裝層，所述壓電體和所述第一電極被封裝在所述封裝層中，以及所述第二電極未被封裝在所述封裝層中，其中所述封裝層采用彈性材料。
16.根據權利要求15所述的晶體管陣列，其特征在于，所述晶體管單元的第一電極和第二電極的連線平行或垂直于所述基底。
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