[發明專利]芯片堆迭結構及其制造方法有效
| 申請號: | 201210258997.1 | 申請日: | 2012-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN103325799A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發明(設計)人: | 沈更新;陳雅琪;毛苡馨 | 申請(專利權)人: | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 徐潔晶;陳亮 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種芯片堆迭結構,包含:
一信號處理芯片模組,包含:
一玻璃基板,具有一第一表面、以及與該第一表面相對的一第二表面,該第一表面上更形成一凹穴,其中,該玻璃基板的第一表面與該凹穴內分別形成有貫穿孔,并于該貫穿孔內鍍有金屬材料以電性連接該第一表面及該第二表面;及
一信號處理芯片,設置于該凹穴中與該多個貫穿孔電性連接;及
一光學芯片模組,包含一光學芯片,該光學芯片模組于該第一表面上與該信號處理芯片模組迭置,該光學芯片的面積大于該信號處理芯片的面積,以涵蓋該信號處理芯片;
其中,該信號處理芯片及該光學芯片更分別包含多個導電接點相應地連接這些貫穿孔,以于該第二表面上電性連接。
2.如權利要求1所述的芯片堆迭結構,其特征在于,這些導電接點為多個凸塊。
3.如權利要求1所述的芯片堆迭結構,其特征在于,更包含一導電線路層及多個焊球,該導電線路層形成于該第二表面上,以選擇性地電性連接這些貫穿孔,而該多個焊球形成于該導電線路層上。
4.如權利要求1所述的芯片堆迭結構,其特征在于,更包含一粘著層,施加于該信號處理芯片模組與該光學芯片模組之間,以結合該信號處理芯片模組與該光學芯片模組。
5.一種制造一芯片堆迭結構的方法,包含下列步驟:
提供一玻璃基板,其中,該玻璃基板具有一第一表面、以及與該第一表面相對的一第二表面,并依據一布局于第一表面上形成多個凹穴,這些凹穴與該第一表面上設有內鍍金屬材料的多個貫穿孔,其中,這些信號處理芯片分別嵌設于這些凹穴中以與這些貫穿孔電性連接;
提供一晶圓,其中,該晶圓上形成有多個光學芯片;及
迭合該玻璃基板及該晶圓,使對應的該光學芯片及該信號處理芯片,經由這些貫穿孔電性連接。
6.如權利要求5所述的方法,其特征在于,該迭合該玻璃基板及該晶圓的步驟,是將該晶圓貼合于該玻璃基板的第一表面上。
7.如權利要求6所述的方法,其特征在于,該迭合該玻璃基板及該晶圓的步驟,包含:
施加一粘著層于該玻璃基板及該晶圓之間。
8.如權利要求5所述的方法,其特征在于,該提供一玻璃基板的步驟,更包含:
于該第二表面上形成一導電線路層,以選擇性地電性連接這些貫穿孔。
9.如權利要求5所述的方法,其特征在于,于該迭合該玻璃基板及該晶圓的步驟之后,更包含:
研磨該晶圓;
于該導電線路層上,植入多個焊球;以及
切割迭合后的該玻璃基板及該晶圓。
10.如權利要求5所述的方法,其特征在于,各該信號處理芯片及各該光學芯片更分別包含多個導電接點,該迭合該玻璃基板及該晶圓的步驟,是將這些導電接點對準并電性連接至這些貫穿孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





