[發明專利]光刻方法無效
| 申請號： | 201210258708.8 | 申請日： | 2012-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN103576466A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 徐春云 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F7/26 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 鄧云鵬 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種光刻方法，包括下列步驟：
在晶圓上涂覆六甲基二硅胺烷；
在所述晶圓上形成抗反射涂層并烘烤；
在所述晶圓上涂覆光刻膠，所述光刻膠為正性光刻膠；
對涂覆的光刻膠進行軟烘；
對所述涂覆的光刻膠進行曝光；
對光刻膠進行曝光后烘烤；
對曝光后的光刻膠進行顯影；
對顯影后的光刻膠進行硬烘。
2.根據權利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述對涂覆的光刻膠進行軟烘的步驟中，烘烤溫度為105~115攝氏度，烘烤時間為60秒。
3.根據權利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述烘烤溫度為112攝氏度。
4.根據權利要求1-3中任意一項所述的光刻方法，其特征在于，所述對光刻膠進行曝光后烘烤的步驟中，烘烤溫度為105~115攝氏度，烘烤時間為60秒。
5.根據權利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述對光刻膠進行曝光后烘烤的步驟中的烘烤溫度為112攝氏度。
6.根據權利要求1或5所述的光刻方法，其特征在于，所述對顯影后的光刻膠進行硬烘的步驟中，烘烤溫度為95~105攝氏度，烘烤時間為60秒。
7.根據權利要求6所述的光刻方法，其特征在于，所述對顯影后的光刻膠進行硬烘的步驟中的烘烤溫度為100攝氏度。
8.根據權利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述正性光刻膠為AZ6130。
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