[發(fā)明專(zhuān)利]降低半導(dǎo)體晶片表面電弧缺陷的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210258707.3
• 申請(qǐng)日: 2012-07-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103578918A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳亞威
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種降低半導(dǎo)體晶片表面電弧缺陷的方法，其特征在于，該方法至少包括：

刻蝕該半導(dǎo)體晶片，以形成通孔；

在所述半導(dǎo)體晶片以及通孔中形成導(dǎo)電層；

通過(guò)使用研漿的化學(xué)機(jī)械研磨法研磨所述導(dǎo)電層；

采用去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低半導(dǎo)體晶片表面電弧缺陷的方法，其特征在于，所述去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行清洗的時(shí)間為8~12秒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低半導(dǎo)體晶片表面電弧缺陷的方法，其特征在于，所述去離子水中溶解有二氧化碳。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的降低半導(dǎo)體晶片表面電弧缺陷的方法，其特征在于，溶解有二氧化碳的所述去離子水的PH值為6.3-6.9。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的降低半導(dǎo)體晶片表面電弧缺陷的方法，其特征在于，溶解有二氧化碳的所述去離子水清洗所述半導(dǎo)體晶片的時(shí)間為60~90秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低半導(dǎo)體晶片表面電弧缺陷的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)選自鎢、鈦、鉭、白金或鉬。

7.一種降低半導(dǎo)體晶片表面電弧缺陷的方法，其特征在于，該方法至少包括：

刻蝕該半導(dǎo)體晶片，以形成通孔；

在所述半導(dǎo)體晶片以及通孔中形成導(dǎo)電層；

通過(guò)使用研漿的化學(xué)機(jī)械研磨法研磨所述導(dǎo)電層；

采用去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行清洗；

采用溶解有二氧化碳的去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行擦洗。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的降低半導(dǎo)體晶片表面電弧缺陷的方法，其特征在于，采用去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行清洗的時(shí)間為8~12秒。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的降低半導(dǎo)體晶片表面電弧缺陷的方法，其特征在于，所述溶解有二氧化碳的去離子水的PH值為6.3-6.9。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的降低半導(dǎo)體晶片表面電弧缺陷的方法，其特征在于，采用溶解有二氧化碳的去離子水對(duì)所述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行擦洗的時(shí)間為60~90秒。