[發明專利]電子束激勵式光源裝置無效

申請號：	201210258405.6	申請日：	2012-07-24
公開（公告）號：	CN102916337A	公開（公告）日：	2013-02-06
發明（設計）人：	前岨剛;山口真典;片岡研	申請（專利權）人：	優志旺電機株式會社
主分類號：	H01S5/028	分類號：	H01S5/028;H01S5/042
代理公司：	永新專利商標代理有限公司 72002	代理人：	陳萍;高迪
地址：	日本***	國省代碼：	日本;JP
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	電子束激勵光源裝置
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

技術領域

本發明涉及一種電子束激勵式光源裝置，通過將來自電子束源裝置的電子束照射到半導體發光元件上，使該半導體發光元件進行發光。

背景技術

通過照射電子束使半導體發光元件進行發光的電子束激勵式光源裝置，正在作為小型且輸出高的放射紫外線的光源而被期待，例如在專利文獻1中所記載的電子束激勵式光源裝置為，如圖6所示那樣，將來自電子槍75的電子束照射到半導體發光元件74上，通過對該半導體發光元件74進行激勵而射出紫外激光，該電子槍75設置在內部被保持為高真空的玻殼71的內部，該半導體發光元件74設置在面板72的內面、且在兩面上配置有由Al、Ag等構成的反射層73a、73b。另外，在專利文獻2中所記載的放射紫外激光的電子束激勵式光源裝置為，如圖7所示那樣，在內部以負壓的狀態被密閉且具有光透射窗81的真空容器80內，在光透射窗81的內面配置激光構造體85，該激光構造體85是在半導體發光元件82的兩面上配置光反射部件83、84而構成的，并且，在該真空容器80的底壁的內面上，將電子束照射到半導體發光元件82上的電子束源86以與激光構造體85相對置的方式配置。

專利文獻1：日本特開平06－303625號公報

專利文獻2：日本專利第3667188號公報

接著，在電子束激勵式光源裝置中，作為半導體發光元件，雖然使用了例如在絕緣基板上多個半導體層通過晶體生長而層疊形成的部件，但伴隨電子束激勵式光源裝置的高輸出化以及小型化，發現了當從電子束源放射的電子照射到半導體發光元件的一面上時，由于電子的碰撞，而在半導體發光元件的一面上或在該一面側的周側面上會積存電荷而被充電。結果，會產生如下問題：由于從電子束源放射的電子束的軌道變化，或者，來自電子束源的電子被半導體發光元件的一面所排斥等原因，變得不能夠將來自電子束源的電子束效率良好地入射到半導體發光元件的一面上，發光效率降低。

發明內容

本發明是基于以上的情況而做出的，提供一種電子束激勵式光源裝置，能夠將來自電子束源裝置的電子束效率良好地照射到半導體發光元件的一面上，并能夠獲取高光輸出。

本發明的電子束激勵式光源裝置為，在真空容器的內部配置電子束源裝置和半導體發光元件而成，該半導體發光元件被從該電子束源裝置放射的電子束激勵從而放射紫外光，電子束激勵式光源裝置的特征在于，

在上述半導體發光元件，設置有用于去除來自上述電子束源裝置的電子束所入射的一面上的電荷的導電性的除電部件。

在本發明的電子束激勵式光源裝置中，優選構成為，上述半導體發光元件經由導電性支承體被固定在上述真空容器內，上述除電部件與上述導電性支承體電連接。

發明效果

根據本發明的電子束激勵式光源裝置，通過構成為設置有除電部件，該除電部件用于去除半導體發光元件的被來自電子束源裝置的電子束照射的一面上的電荷，由此防止或抑制在半導體發光元件的被來自電子束源裝置的電子束照射的一面上因來自電子束源裝置的電子束的照射而積存電荷，因此，能夠將來自電子束源裝置的電子束效率良好地照射到半導體發光元件的一面上，并能夠獲取高光輸出。

附圖說明

圖1是表示本發明的電子束激勵式光源裝置的一例的構成的概略的說明圖，（A）是表示側面截面圖，（B）是表示取下了光透射窗的狀態的俯視圖。

圖2概略地表示圖1所示的電子束激勵式光源裝置的電子束源裝置的構成，是圖1（B）的A－A線的放大截面圖。

圖3是表示圖1所示的電子束激勵式光源裝置的半導體發光元件的構成的概略的說明用截面圖。

圖4是表示在實施例1中制作的比較用的電子束激勵式光源裝置的半導體發光元件的構成的說明用截面圖。

圖5是表示本發明的電子束激勵式光源裝置的其他例子的構成的概略的示意圖。

圖6是表示現有的電子束激勵式光源裝置的一例的構成的概略的說明用截面圖。

圖7是表示現有的電子束激勵式光源裝置的其他例子的構成的概略的說明用截面圖。

附圖標記說明

10?真空容器

11?容器基體

15?光透射窗