[發(fā)明專利]驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210258397.5
• 申請(qǐng)日: 2012-07-24
• 公開（公告）號(hào): CN103580675A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李秋平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 原景科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K19/08
• 分類號(hào): H03K19/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 史新宏

1.一種驅(qū)動(dòng)電路，用以驅(qū)動(dòng)一功率金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，包含：

一第一驅(qū)動(dòng)支路，包含：

一第一開關(guān)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，具有一第一開關(guān)柵極，用以接收一開關(guān)信號(hào)；

一電流源；以及

一第一箝位P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，具有一第一箝位柵極，用以接收一參考電壓，其中該第一箝位P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一第一箝位漏極連接于該第一開關(guān)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一第一開關(guān)漏極，該第一箝位P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一第一箝位源極連接于該電流源；

一第二驅(qū)動(dòng)支路，包含：

一第二開關(guān)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，具有一第二開關(guān)柵極，用以接收反相的該開關(guān)信號(hào)；

一電流供應(yīng)P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，具有連接于該第一箝位源極的一電流供應(yīng)柵極以及連接于一第一電位的一電流供應(yīng)源極；以及

一第二箝位P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，具有一第二箝位柵極，用以接收該參考電壓，其中該第二箝位P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一第二箝位漏極連接于該第二開關(guān)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一第二開關(guān)漏極，該第二箝位P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一第二箝位源極連接于該電流供應(yīng)P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一電流供應(yīng)漏極，其中該第二箝位源極輸出一驅(qū)動(dòng)電壓至該功率金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一功率柵極；以及

一電容串，包含相串聯(lián)的多個(gè)電容，該電容串的一第一端用以接收反相的該開關(guān)信號(hào)，該電容串的一第二端連接于該電流供應(yīng)P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的該電流供應(yīng)柵極，以將反相的該開關(guān)信號(hào)耦合至該電流供應(yīng)柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中該第一電位為一正電位。

3.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中該功率金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管為一高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管（high?voltage?MOS；HVMOS）。

4.如權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中該驅(qū)動(dòng)電壓與該第一電位的一電壓差小于一特定電壓值。

5.如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中該驅(qū)動(dòng)電壓的一最小值為該參考電壓及該第二箝位P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的一閾值電壓的和。

6.如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中該參考電壓為該第一電位與該功率柵極的一最高耐壓值的差。

7.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中當(dāng)該控制信號(hào)為一第一狀態(tài)，使該第一開關(guān)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管導(dǎo)通以及使該第二開關(guān)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管關(guān)閉，該電容串將反相的該開關(guān)信號(hào)耦合至該電流供應(yīng)柵極以使該電流供應(yīng)P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管導(dǎo)通，進(jìn)一步使該第二箝位P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管導(dǎo)通以及使該驅(qū)動(dòng)電壓上升以關(guān)閉該功率金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。

8.如權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中當(dāng)該控制信號(hào)為一第二狀態(tài)，使該第一開關(guān)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管關(guān)閉以及使該第二開關(guān)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管導(dǎo)通，該電容串將反相的該開關(guān)信號(hào)耦合至該電流供應(yīng)柵極以使該電流供應(yīng)P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管關(guān)閉，進(jìn)一步使該第二箝位P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管關(guān)閉以及使該驅(qū)動(dòng)電壓下降以導(dǎo)通該功率金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。