[發明專利]一種鐵酸鉍納米線太陽能電池的制備方法有效
| 申請號: | 201210258388.6 | 申請日: | 2012-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN102856430A | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發明(設計)人: | 邱建華;丁建寧;袁寧一;陳智慧;王秀琴 | 申請(專利權)人: | 常州大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 213164 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鐵酸鉍 納米 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種鐵酸鉍納米線太陽能電池的制備方法,包括制備雙通的多孔氧化鋁模板的步驟、在多孔氧化鋁模板中填充Ag納米線的步驟和制備ITO上電極的步驟,其特征在于:在多孔氧化鋁模板中填充Ag納米線的步驟和制備ITO上電極的步驟之間進行利用磁控濺射方法在Ag納米線上包覆一層BiFeO3的步驟,具體的工藝條件為:濺射功率為50-90?W,沉積溫度為20-300?0C,Ar:O2的流量比1:15-11:1,腔體壓力為0.01-1?Pa,BiFeO3殼層厚度為20-200?nm。
2.如權利要求1所述的一種鐵酸鉍納米線太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述制備雙通的多孔氧化鋁模板的步驟為:將高純鋁片進行退火,超聲清洗,去除自然氧化層,電化學拋光,進行二次陽極氧化,去除Al基底,通孔,制備出雙通的多孔氧化鋁模板;
所述高純Al片純度???????????????????????????????????????????????99.999%,退火溫度為450-500℃,退火時間為4-5小時,隨爐冷卻至室溫后取出;
超聲清洗依次用丙酮、乙醇、去離子水超聲3分鐘;
去除自然氧化層時選用2?mol/L的NaOH溶液,溫度為60℃,浸入時間為2分鐘;
電化學拋光選用5vol%硫酸、95vol%磷酸和20?g/L鉻酸的混合溶液,拋光5分鐘,水浴溫度為85?℃,拋光電流為0.8?A或選用25vol%高氯酸和75vol%乙醇,拋光1分鐘,水浴溫度為10℃,拋光電流密度為0.5?mA/cm2;或選用90vol%高氯酸和10vol%乙醇,拋光3分鐘,電壓為23?V;
二次陽極氧化過程包括:第一次陽極氧化、去除氧化層和第二次陽極氧化的步驟;
第一次陽極氧化的電解液選用0.2-0.4?mol/L的草酸,氧化電壓為10-160?V,溫度控制在0-10?℃,氧化時間為3-6小時;或選用0.3-1.2?mol/L的硫酸,氧化電壓為10-160?V,溫度控制在0-5?℃,氧化時間為3-6小時;
去除氧化層選用6wt%磷酸和1.5wt%鉻酸的混合溶液,60?0C浸泡6小時;第二次陽極氧化條件與第一次陽極氧化相同,通過控制陽極電壓可得到不同孔徑大小的多孔氧化鋁模板;
去除Al基底選用飽和HgCl2溶液、SnCl4溶液或CuCl2溶液;
通孔選用6wt%磷酸,30℃,浸泡1小時,制備出雙通的多孔氧化鋁模板,將雙通的多孔氧化鋁模板浸入6wt%磷酸中擴孔5-40分鐘,可得不同孔徑大小的雙通氧化鋁模板。
3.如權利要求1所述的一種鐵酸鉍納米線太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述的一種鐵酸鉍納米線太陽能電池的制備方法,其特征在于:在多孔氧化鋁模板中填充Ag納米線的步驟為:在多孔氧化鋁模板的一面濺射Au層作為工作電極,利用電化學沉積方法在多孔氧化鋁模板中填充Ag納米線,去除多孔氧化鋁模板;
采用磁控濺射方法制備Au電極,濺射功率50?W,厚度為40-300?nm;
電化學沉積以石墨片為陽極,Au為陰極,電解液為300?g/L的AgNO3和45?g/L的H3BO3的混合溶液,用硝酸調節PH值至2-3,電流密度為2-4?mA/cm2,室溫沉積8小時;
去除氧化鋁模板選用5wt%的NaOH溶液。
4.如權利要求1所述的一種鐵酸鉍納米線太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述的一種鐵酸鉍納米線太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述制備ITO上電極的步驟為:采用磁控濺射方法制備ITO電極;靶材選用ITO陶瓷靶,工藝條件為:濺射功率為40-60?W,沉積溫度為20-300?0C,腔體壓力為0.01-1?Pa,濺射厚度為40-300?nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州大學,未經常州大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210258388.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





