[發明專利]一種肖特基瞬態電壓抑制二極管及其制備方法

無效

• 申請號: 201210258297.2
• 申請日: 2012-07-23
• 公開（公告）號: CN103579369A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 朱江
• 申請（專利權）人: 朱江
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種肖特基瞬態電壓抑制二極管，其特征在于：包括：

襯底層，為半導體材料；

漂移層，為第一傳導類型的半導體材料，位于襯底層之上；

基區，為第二傳導類型的半導體材料，位于漂移層之上；

肖特基勢壘結，為金屬和半導體材料形成的勢壘結，位于基區表面；

電極金屬，位于器件的表面和襯底層背面。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的襯底層可以為高濃度雜質摻雜的第二傳導類型的半導體材料。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的襯底層也可以為高濃度雜質摻雜的第一傳導類型的半導體材料。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的漂移區中臨靠基區的部分區域中可以設置有多個相對高濃度雜質摻雜的第一傳導類型的半導體材料。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的漂移區中臨靠基區的部分區域中可以設置有多個相對低濃度雜質摻雜的第一傳導類型的半導體材料。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的基區和漂移區邊緣表面設置有絕緣材料層。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的基區的厚度小于等于5微米。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的二極管的終端結構可以為溝槽結構，溝槽表面設置有絕緣材料層。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的二極管的終端結構也可以為平面結構，終端結構表面設置有絕緣材料層。

10.如權利要求1所述的一種肖特基瞬態電壓抑制二極管的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

1）在襯底層上通過外延生產形成第一傳導類型的半導體材料漂移層；

2）在表面形成絕緣材料層，去除表面部分絕緣材料層；

3）進行第二傳導類型雜質擴散；

4）去除表面部分絕緣材料層；

5）表面形成勢壘金屬，形成肖特基勢壘結；

6）在器件表面和背面形成電極金屬。