[發(fā)明專利]應(yīng)用于薄硅片的臨時(shí)鍵合和解離工藝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210258084.X | 申請(qǐng)日： | 2012-07-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103035580A | 公開（公告）日： | 2013-04-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭曉波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/00 | 分類號(hào)： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 應(yīng)用于 硅片 臨時(shí) 解離 工藝 方法 | ||
1.一種應(yīng)用于薄硅片的臨時(shí)鍵合和解離工藝方法，其特征在于，包括步驟如下：
（1）在硅片的鍵合面或/和載片的鍵合面涂布粘合劑，并對(duì)其進(jìn)行烘烤；
（2）硅片和載片的臨時(shí)鍵合；
（3）硅片背面研磨減薄；
（4）對(duì)硅片和載片的邊緣進(jìn)行去邊處理，以去除硅片和載片邊緣的粘合劑；
（5）進(jìn)行硅片背面工藝；
（6）硅片和載片的解離和清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述的載片材料是玻璃、藍(lán)寶石或硅中的任一種；所述的載片直徑比硅片直徑大0~2毫米，所述載片的厚度為200-2000微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述載片采用玻璃圓片，所述載片的直徑為201毫米，所述載片的厚度為500微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述的粘合劑是指加熱分解型粘合劑，或激光分解型粘合劑，或溶劑溶解型粘合劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述的粘合劑是BrewerScinece公司的熱分解型粘合劑WaferBOND?HT10.10。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述的涂布粘合劑，是指只在硅片的鍵合面涂布粘合劑，或只在載片的鍵合面涂布粘合劑，或在硅片的鍵合面和載片的鍵合面都涂布粘合劑；所述涂布粘合劑的涂布方式采用旋涂方式或噴淋方式；所述的涂布粘合劑在烘烤后的厚度為5-100微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述的涂布粘合劑采用旋涂方式在硅片的鍵合面和載片的鍵合面都涂布粘合劑，在烘烤后，涂布在硅片的鍵合面上的粘合劑以及涂布在載片的鍵合面上的粘合劑的厚度均為25微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述的臨時(shí)鍵合過程在一真空度為0.001-0.1毫帕的密閉腔體中完成，且需將硅片和載片加熱至80-250℃，并在硅片或載片的一側(cè)施加100-5000牛頓的壓力，鍵合時(shí)間為1-20分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述真空度為0.01毫帕，加熱溫度為160℃，在載片的一側(cè)施加的壓力為1000牛頓，鍵合時(shí)間為5分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的方法，其特征在于，在步驟(2)完成后，粘合劑會(huì)被擠到硅片和載片的周邊，從而分別在硅片和載片的邊緣及其側(cè)面殘留粘合劑。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述的硅片背面研磨減薄方法包括如下三個(gè)步驟：粗磨、細(xì)磨和拋光；所述粗磨和細(xì)磨采用不同目數(shù)的金剛砂刀輪通過機(jī)械研磨方式完成，所述拋光采用化學(xué)機(jī)械研磨法、干法刻蝕法或濕法刻蝕法；所述的研磨減薄后硅片的厚度為10-400微米。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述拋光采用濕法刻蝕法；所述的研磨減薄后硅片的厚度為80微米。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述的去邊處理，是指含氧氣的等離子體灰化法，或化學(xué)溶劑清洗法，或激光照射去除法。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述的去邊處理采用化學(xué)溶劑清洗法，即同時(shí)在硅片邊緣和載片邊緣噴淋一化學(xué)溶劑1-十二烯，使硅片邊緣的粘合劑和載片邊緣的粘合劑因溶解于該化學(xué)溶劑而被去除。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(5)中，所述的硅片背面工藝包括刻蝕、光刻、離子注入、去膠或清洗工藝中的一種或多種工藝。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟(6)中，所述的解離是指化學(xué)溶劑解離法，或加熱解離法，或激光照射解離法。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，在步驟(6)中，所述的解離采用加熱解離法，即將鍵合后減薄后的硅片和載片加熱到200-350℃，粘合劑在此溫度下發(fā)生熱分解而失去粘性，從而可以將減薄后的硅片和載片相互滑移解離。
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