[發明專利]具有成環連接的霍爾效應區的電子器件

有效

• 申請號: 201210257072.5
• 申請日: 2012-07-23
• 公開（公告）號: CN102889952A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 烏多·奧塞爾勒基納
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G01L1/12
• 分類號: G01L1/12
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種電子器件，包括：

整數n個霍爾效應區，其中n>1，其中，所述n個霍爾效應區彼此隔離；

其中，所述電子器件包括在所述n個霍爾效應區的表面內或表面上的至少八個接觸，其中，所述接觸包括各個霍爾效應區的第一接觸和第二接觸；

其中，對于k=1至n-1，第（k+1）個霍爾效應區的第一接觸連接至第k個霍爾效應區的第二接觸，且第一霍爾效應區的第一接觸連接至第n個霍爾效應區的第二接觸；

其中，所述至少八個接觸包括至少兩個供電接觸和至少兩個檢測接觸；

其中，各個霍爾效應區包括所述至少兩個供電接觸中的一個；以及

其中，各個霍爾效應區包括所述至少兩個檢測接觸中的一個。

2.根據權利要求1所述的電子器件，其中，n=2，使得所述n個霍爾效應區包括第一霍爾效應區和第二霍爾效應區，

其中，所述至少兩個供電接觸中的一個形成在所述第一霍爾效應區的表面內或表面上，以及所述至少兩個供電接觸中的另一個形成在所述第二霍爾效應區的表面內或表面上，以及

其中，所述至少兩個檢測接觸中的一個形成在所述第一霍爾效應區的表面內或表面上，以及所述至少兩個檢測接觸中的另一個形成在所述第二霍爾效應區的表面內或表面上。

3.根據權利要求2所述的電子器件，其中，所述第一霍爾效應區包括第一端和第二端，以及其中，所述第二霍爾效應區包括第一端和第二端，

其中，所述第一霍爾效應區和所述第二霍爾效應區的所述第一接觸和所述第二接觸分別比所述至少兩個供電接觸和所述至少兩個檢測接觸更接近所述第一霍爾效應區和所述第二霍爾效應區中的相應一個的所述第一端和所述第二端中的一個。

4.根據權利要求2所述的電子器件，其中，所述第一霍爾效應區和所述第二霍爾效應區各自包括第一端和第二端，且其中，所述第一霍爾效應區和所述第二霍爾效應區的所述第一接觸和所述第二接觸比所述供電接觸和所述檢測接觸中的至少一個離所述第一霍爾效應區和所述第二霍爾效應區中的相應一個的所述第一端和所述第二端中的至少一個更遠。

5.根據權利要求1所述的電子器件，其中，n=4，

其中，除相應的第一接觸和第二接觸之外，所述至少兩個供電接觸和所述至少兩個檢測接觸形成在所述霍爾效應區的表面內或表面上，使得至少三個接觸形成在各個霍爾效應區的表面內或表面上，以及

其中，其表面內或表面上形成有檢測接觸的霍爾效應區利用所述第一接觸和所述第二接觸電連接在其表面內或表面上形成有供電接觸的兩個霍爾效應區之間。

6.根據權利要求1所述的電子器件，其中，n=4，其中，所述至少兩個供電接觸中的每個供電接觸與至少一個霍爾效應區的所述第一接觸和所述第二接觸中的至少一個重合，以及其中，所述至少兩個檢測接觸中的每個檢測接觸與至少一個霍爾效應區的所述第一接觸和所述第二接觸中的至少一個重合。

7.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述至少兩個供電接觸和所述至少兩個檢測接觸形成一組至少四個旋轉電流接觸，所述至少四個旋轉電流接觸中的每一個被配置為在旋轉電流方案的第一操作階段期間用作所述至少兩個供電接觸中的一個，以及在旋轉電流方案的第二操作階段期間用作所述至少兩個檢測接觸中的一個，或相反。

8.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述電子器件關于至少一個中心平面對稱。

9.根據權利要求1所述的電子器件，還包括至少一個浮接接觸，所述浮接接觸形成在所述霍爾效應區中的至少一個的表面內或表面上。

10.根據權利要求1所述的電子器件，其中，各個霍爾效應區包括第一端和第二端，以及其中，所述霍爾效應區中的至少兩個并排放置，使得所述至少兩個霍爾效應區中的一個的所述第一端鄰近相鄰霍爾效應區的所述第二端，且反之亦然。

11.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述霍爾效應區中的至少兩個沿直線放置。

12.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述霍爾效應區中的至少兩個相對于彼此成非零角放置。

13.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述霍爾效應區中的至少一個相對于至少一個其他霍爾效應區縱向和橫向偏移。