[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210255994.2 | 申請日: | 2012-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN103579505A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周明杰;王平;鐘鐵濤;黃輝 | 申請(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括依次層疊的陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極層,其特征在于,所述電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜于所述電子傳輸材料中的第一摻雜材料,其中所述第一摻雜材料占所述電子傳輸層的材料的質(zhì)量百分比為3~8%;所述電子注入層的材料包括電子注入材料及摻雜于所述電子注入材料中的第二摻雜材料及第三摻雜材料,所述第二摻雜材料占所述電子注入層的材料的質(zhì)量百分比為5~10%,所述第三摻雜材料占所述電子注入層的材料的質(zhì)量百分比為25~35%;所述第一摻雜材料及第二摻雜材料選自氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銣和氫氧化銫中的一種,所述第三摻雜材料選自碳酸銫、氟化銫、疊氮化銫、碳酸鋰和氟化鋰中的一種,所述電子傳輸材料及電子注入材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述陽極基板為包括透明基板及層疊于所述透明基板上的氧化銦錫薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述空穴注入層由三氧化鉬、三氧化鎢、五氧化二釩和三氧化錸中的一種摻雜入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺和1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的一種中形成,其中所述三氧化鉬、三氧化鎢、五氧化二釩和三氧化錸中的一種的質(zhì)量百分比為25~35%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述空穴傳輸層的材料選自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺和1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述發(fā)光層由三(2-苯基吡啶)合銥摻雜入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中形成,所述三(2-苯基吡啶)合銥的質(zhì)量百分比為5%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述陰極層的材料選自銀、鋁、金和鎂-銀合金中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述陽極基板的厚度為100~150納米,所述空穴注入層的厚度為10~15納米,所述空穴傳輸層的厚度為30~50納米,所述發(fā)光層的厚度為10~20納米,所述電子傳輸層的厚度為10~60納米,所述電子注入層的厚度為20~40納米,所述陰極層的厚度為50~200納米。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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